參數(shù)資料
型號(hào)： CYD36S18V18
廠商： Cypress Semiconductor Corp.
英文描述： FullFlex Synchronous SDR Dual-Port SRAM(FullFlex同步SDR雙端口SRAM)
中文描述： FullFlex器件特別提款權(quán)同步雙端口SRAM（FullFlex器件同步雙端口SRAM的特別提款權(quán)）
文件頁數(shù)： 27/52頁
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代理商： CYD36S18V18
FullFlex
Document #: 38-06082 Rev. *F
Page 27 of 52
Table 16.Master Reset Timing
t
OHZ[27]
t
CD1
OE to High Z
C Rise to DQ Valid for Flow-through Mode (LowSPD = 0)
1.00
5.50
[28,30]
13.00
[28,
30]
ns
ns
t
CD2[31]
t
CA1
t
CA2
t
DC[31]
t
CCQ[31]
t
CQHQV[31]
C Rise to DQ Valid for Pipelined Mode (LowSPD = 0)
C Rise to Address Readback Valid for Flow-through Mode
C Rise to Address Readback Valid for Pipelined Mode
DQ Output Hold after C Rise
C Rise to CQ Rise
Echo Clock (CQ) High to Output
Valid
6.00
[28,30]
13.00
[30]
7.50
[30]
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
1.00
1.00
6.00
[30]
0.90
[28]
1.00
[28]
HSTL/1.8V LVCMOS
2.5V LVCMOS/3.3V LVTTL
HSTL/1.8V LVCMOS
2.5V LVCMOS/3.3V LVTTL
t
CQHQX[31]
Echo Clock (CQ) High to Output
Hold
–0.90
–1.05
1.00
t
CKHZ1[27]
C Rise to DQ Output High Z in Flow-through Mode
13.00
[28,
30]
t
CKLZ1[27]
t
CKHZ2[27,31]
t
CKLZ2[27,31]
t
AC
t
CKHZA1[27]
t
CKHZA2[27]
t
CKLZA[27]
t
SCINT
t
RCINT
t
SINT
t
RINT
t
BSY
C Rise to DQ Output Low Z in Flow-through Mode
C Rise to DQ Output High Z in Pipelined Mode
C Rise to DQ Output Low Z in Pipelined Mode
Address Output Hold after C Rise
C Rise to Address Output High Z for Flow-through mode
C Rise to Address Output High Z for Pipelined Mode
C Rise to Address Output Low Z
C Rise to CNTINT Low
C Rise to CNTINT High
C Rise to INT Low
C Rise to INT High
C Rise to BUSY Valid
1.00
1.00
1.00
1.00
1.00
1.00
1.00
1.00
1.00
0.50
0.50
1.00
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
6.00
[28,30]
13.00
[30]
7.50
[30]
4.50
[30]
4.50
[30]
8.50
[30]
8.50
[30]
4.50
[30]
Table 15.SDR Mode with DLL Disabled (LOWSPD-LOW)
[29]
Parameter
Description
All Speed Bins
Min.
Unit
Max.
Parameter
t
PUP
t
RS
t
RSR
t
RSF
t
RDY[32]
t
CORDY[33]
Description
–250
[24]
Min.
1
5
5
–200
[24]
Min.
1
5
5
–167
–133
Unit
ms
cycles
cycles
ns
cycles
ns
Max.
Max.
Min.
1
5
5
Max.
Min.
1
5
5
Max.
Power-Up Time
Master Reset Pulse Width
Master Reset Recovery Time
Master Reset to Outputs Inactive/Hi Z
Master Reset Release to Port Ready
C Rise to Port Ready
12
1024
8
[30]
15
1024
9.5
[30]
18
22.50
1024
13
[30]
1024
11
[30]
Table 17.JTAG Timing
Parameter
f
JTAG
Description
–250
[24]
Min.
–200
[24]
Min.
–167
–133
Unit
MHz
Max.
20
Max.
20
Min.
Max.
20
Min.
Max.
20
JTAG TAP Controller Frequency
Notes:
32.READY is a wired OR capable output with a weak pull-down. For a decreased falling delay, connect a 250-
resistor to VSS.
33.Add this propagation delay after t
RDY
for all Master Reset Operations.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
CYD36S36V18 FullFlex Synchronous SDR Dual-Port SRAM(FullFlex同步SDR雙端口SRAM)
CYD18S72V FLEx72 3.3V 64K/128K/256K x 72 Synchronous Dual-Port RAM(FLEx72 3.3V 64K/128K/256K x 72同步雙端口RAM)
CYD09S72V FLEx72 3.3V 64K/128K/256K x 72 Synchronous Dual-Port RAM(FLEx72 3.3V 64K/128K/256K x 72同步雙端口RAM)
CYDC128B08-55AXC 1.8V 4k/8k/16k x 16 and 8k/16k x 8 ConsuMoBL Dual-Port Static RAM
CYDC064B08 1.8V 4k/8k/16k x 16 and 8k/16k x 8 ConsuMoBL Dual-Port Static RAM
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
CYD36S18V18-133BBXC 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述:FULLFLEX36 36M SYNC DUAL-PORT ?2M X 18, SDR? - Bulk
CYD36S18V18-167BGXC 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 18MB (2Mx18) 1.8v 167MHz Sync 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
CYD36S18V18-167BGXI 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 36MB (2Mx18) 1.8v 167MHz Sync 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
CYD36S18V18-200BGXC 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 36MB (2Mx18) 1.8v 200MHz Sync 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
CYD36S36V18-133BBXC 功能描述:IC SRAM 36MBIT 133MHZ 256LFBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:移動(dòng) SDRAM 存儲(chǔ)容量:256M（8Mx32） 速度:133MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.95 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:90-VFBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:90-VFBGA（8x13） 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:557-1327-2
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