參數(shù)資料
型號： CYD36S18V18
廠商： Cypress Semiconductor Corp.
英文描述： FullFlex Synchronous SDR Dual-Port SRAM(FullFlex同步SDR雙端口SRAM)
中文描述： FullFlex器件特別提款權(quán)同步雙端口SRAM（FullFlex器件同步雙端口SRAM的特別提款權(quán)）
文件頁數(shù)： 18/52頁
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代理商： CYD36S18V18
FullFlex
Document #: 38-06082 Rev. *F
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Storage Temperature ................................ –65°C to + 150°C
Ambient Temperature with
Power Applied............................................–55°C to + 125°C
Supply Voltage to Ground Potential..............–0.5V to + 4.1V
DC Voltage Applied to
Outputs in High-Z State.......................–0.5V to V
DDIO
+ 0.5V
DC Input Voltage.................................–0.5V to V
DDIO
+ 0.5V
Output Current into Outputs (LOW) ............................ 20 mA
Static Discharge Voltage...........................................> 2200V
(JEDEC JESD8-6, JESD8-B)
Latch-up Current.....................................................> 200 mA
Operating Range
Range
Commercial
Ambient Temperature
0°C to +70°C
VCORE
1.8V
±
100 mV
1.5V
±
80 mV
1.8V
±
100 mV
1.5V
±
80 mV
Industrial
–40°C to +85°C
Power Supply Requirements
Min.
3.0V
2.3V
1.4V
1.7V
3.0V
2.3V
0.68V
Typ.
3.3V
2.5V
1.5V
1.8V
3.3V
2.5V
0.75V
Max.
3.6V
2.7V
1.9V
1.9V
3.6V
2.7V
0.95V
LVTTL VDDIO
2.5V LVCMOS VDDIO
HSTL VDDIO
1.8V LVCMOS VDDIO
3.3V VTTL
2.5V VTTL
HSTL VREF
Electrical Characteristics
Over the Operating Range
Parameter
V
OH
Description
Configuration
LVTTL
All Speed Bins
[24]
Unit
Min.
2.4
[25]
Typ.
Max.
Output HIGH Voltage
(V
DDIO
= Min., I
OH
= –8 mA)
(V
DDIO
= Min., I
OH
= –4 mA)
(V
DDIO
= Min., I
OH
= –4 mA)
(V
DDIO
= Min., I
OH
= –6 mA)
(V
DDIO
= Min., I
OH
= –4 mA)
Output HIGH Voltage
(V
DDIO
= Min., I
OL
= 8 mA)
(V
DDIO
= Min., I
OL
= 4 mA)
(V
DDIO
= Min., I
OL
= 4 mA)
(V
DDIO
= Min., I
OL
= 6 mA)
(V
DDIO
= Min., I
OL
= 4 mA)
Input HIGH Voltage
V
HSTL (DC)
[26]
HSTL (AC)
[26]
2.5V LVCMOS
1.8V LVCMOS
LVTTL
VDDIO – 0.4
[25]
VDDIO – 0.5
[25]
1.7
[25]
VDDIO – 0.45
[25]
V
V
V
V
V
V
OL
0.4
[25]
HSTL(DC)
[26]
HSTL (AC)
[26]
2.5V LVCMOS
1.8V LVCMOS
LVTTL
HSTL(DC)
[26]
2.5V LVCMOS
1.8V LVCMOS
LVTTL
HSTL(DC)
[26]
2.5V LVCMOS
1.8V LVCMOS
0.4
[25]
0.5
[25]
0.7
[25]
0.45
[25]
VDDIO + 0.3
VDDIO + 0.3
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
IH
2
VREF + 0.1
1.7
1.26
–0.3
–0.3
0.7
0.36
V
IL
Input LOW Voltage
0.8
VREF – 0.1
Notes:
24.LVTTL and 2.5V LVCMOS are not available for 4-Mbit, 9-Mbit, 18-Mbit devices running at 250 MHz and 36-Mbit devices running at 200 MHz.
25.These parameters are met with VIM disabled.
26.The (DC) specifications are measured under steady state conditions. The (AC) specifications are measured while switching at speed.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
CYD36S36V18 FullFlex Synchronous SDR Dual-Port SRAM(FullFlex同步SDR雙端口SRAM)
CYD18S72V FLEx72 3.3V 64K/128K/256K x 72 Synchronous Dual-Port RAM(FLEx72 3.3V 64K/128K/256K x 72同步雙端口RAM)
CYD09S72V FLEx72 3.3V 64K/128K/256K x 72 Synchronous Dual-Port RAM(FLEx72 3.3V 64K/128K/256K x 72同步雙端口RAM)
CYDC128B08-55AXC 1.8V 4k/8k/16k x 16 and 8k/16k x 8 ConsuMoBL Dual-Port Static RAM
CYDC064B08 1.8V 4k/8k/16k x 16 and 8k/16k x 8 ConsuMoBL Dual-Port Static RAM
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參數(shù)描述
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CYD36S18V18-167BGXI 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 36MB (2Mx18) 1.8v 167MHz Sync 靜態(tài)隨機存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
CYD36S18V18-200BGXC 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 36MB (2Mx18) 1.8v 200MHz Sync 靜態(tài)隨機存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
CYD36S36V18-133BBXC 功能描述:IC SRAM 36MBIT 133MHZ 256LFBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:移動 SDRAM 存儲容量:256M（8Mx32） 速度:133MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.95 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:90-VFBGA 供應商設備封裝:90-VFBGA（8x13） 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:557-1327-2
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