參數(shù)資料
型號(hào)： CYD36S18V18
廠商： Cypress Semiconductor Corp.
英文描述： FullFlex Synchronous SDR Dual-Port SRAM(FullFlex同步SDR雙端口SRAM)
中文描述： FullFlex器件特別提款權(quán)同步雙端口SRAM（FullFlex器件同步雙端口SRAM的特別提款權(quán)）
文件頁(yè)數(shù)： 19/52頁(yè)
文件大?。?/td> 774K
代理商： CYD36S18V18
FullFlex
Document #: 38-06082 Rev. *F
Page 19 of 52
READY
V
OH
Output HIGH Voltage
(V
DDIO
= Min., I
OH
= –24 mA)
(V
DDIO
= Min., I
OH
= –12 mA)
(V
DDIO
= Min., I
OH
= –12 mA)
(V
DDIO
= Min., I
OH
= –15 mA)
(V
DDIO
= Min., I
OH
= –12 mA)
Output HIGH Voltage
(V
DDIO
= Min., I
O
= 0.12 mA)
(V
DDIO
= Min., I
OL
= 0.12 mA)
(V
DDIO
= Min., I
OL
= 0.12 mA)
(V
DDIO
= Min., I
OL
= 0.15 mA)
(V
DDIO
= Min., I
OL
= 0.08 mA)
Output Leakage Current
Input Leakage Current Except
TDI, TMS, MRST
Input Leakage Current TDI,
TMS, MRST
Input Leakage Current
PORTSTD, DDRON
LVTTL
2.7
[25]
V
HSTL(DC)
[26]
HSTL (AC)
[26]
2.5V LVCMOS
1.8V LVCMOS
LVTTL
VDDIO – 0.4
[25]
VDDIO – 0.5
[25]
2.0
[25]
VDDIO – 0.45
[25]
V
V
V
V
V
READY
V
OL
0.4
[25]
HSTL(DC)
[26]
HSTL (AC)
[26]
2.5V LVCMOS
1.8V LVCMOS
0.4
[25]
0.5
[25]
0.7
[25]
0.45
[25]
10
10
V
V
V
V
μ
A
μ
A
I
OZ
I
IX1
–10
–10
I
IX2
–300
10
μ
A
I
IX3
–10
300
μ
A
Electrical Characteristics
Over the Operating Range (continued)
Parameter
Description
Configuration
All Speed Bins
[24]
Unit
Min.
Typ.
Max.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
CYD36S36V18 FullFlex Synchronous SDR Dual-Port SRAM(FullFlex同步SDR雙端口SRAM)
CYD18S72V FLEx72 3.3V 64K/128K/256K x 72 Synchronous Dual-Port RAM(FLEx72 3.3V 64K/128K/256K x 72同步雙端口RAM)
CYD09S72V FLEx72 3.3V 64K/128K/256K x 72 Synchronous Dual-Port RAM(FLEx72 3.3V 64K/128K/256K x 72同步雙端口RAM)
CYDC128B08-55AXC 1.8V 4k/8k/16k x 16 and 8k/16k x 8 ConsuMoBL Dual-Port Static RAM
CYDC064B08 1.8V 4k/8k/16k x 16 and 8k/16k x 8 ConsuMoBL Dual-Port Static RAM
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
CYD36S18V18-133BBXC 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述:FULLFLEX36 36M SYNC DUAL-PORT ?2M X 18, SDR? - Bulk
CYD36S18V18-167BGXC 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 18MB (2Mx18) 1.8v 167MHz Sync 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問(wèn)時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
CYD36S18V18-167BGXI 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 36MB (2Mx18) 1.8v 167MHz Sync 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問(wèn)時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
CYD36S18V18-200BGXC 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 36MB (2Mx18) 1.8v 200MHz Sync 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問(wèn)時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
CYD36S36V18-133BBXC 功能描述:IC SRAM 36MBIT 133MHZ 256LFBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:移動(dòng) SDRAM 存儲(chǔ)容量:256M（8Mx32） 速度:133MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.95 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:90-VFBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:90-VFBGA（8x13） 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:557-1327-2
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