參數(shù)資料
型號： CY7C1471V33-133BZXC
廠商： CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： DRAM
英文描述： 72-Mbit (2M x 36/4M x 18/1M x 72) Flow-Through SRAM with NoBL Architecture
中文描述： 2M X 36 ZBT SRAM, 6.5 ns, PBGA165
封裝： 15 X 17 MM, 1.40 MM HEIGHT, LEAD FREE, FBGA-165
文件頁數(shù)： 27/29頁
文件大?。?/td> 375K
代理商： CY7C1471V33-133BZXC
PRELIMINARY
CY7C1471V33
CY7C1473V33
CY7C1475V33
Document #: 38-05288 Rev. *E
Page 27 of 29
Package Diagrams
(continued)
A
1
PIN 1 CORNER
1
15.00±0.10
7
1.00
0.45±0.05(165X)
0.25 M C A B
0.05 M C
B
A
0.15(4X)
0
1
SEATING PLANE
0
0
0
PIN 1 CORNER
TOP VIEW
BOTTOM VIEW
2
3
4
5
6
7
8
9
10
10.00
1
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
N
11
11
10
9
8
6
7
5
4
3
2
1
P
R
P
R
K
M
N
L
J
H
G
F
E
D
C
B
A
C
1
5.00
0
+
-
165-Ball FBGA (15 x 17 x 1.40 mm) BB165C
51-85165-*A
相關(guān)PDF資料
PDF描述
CY7C1471V33-100AXC 72-Mbit (2M x 36/4M x 18/1M x 72) Flow-Through SRAM with NoBL Architecture
CY7C1474V33-250BGI 72-Mbit (2M x 36/4M x 18/1M x 72) Pipelined SRAM with NoBL⑩ Architecture
CY7C1474V33-250BGXI 72-Mbit (2M x 36/4M x 18/1M x 72) Pipelined SRAM with NoBL⑩ Architecture
CY7C1475V25-100BGI 72-Mbit (2M x 36/4M x 18/1M x 72) Flow-Through SRAM with NoBL⑩ Architecture
CY7C1475V25-100BGXI 72-Mbit (2M x 36/4M x 18/1M x 72) Flow-Through SRAM with NoBL⑩ Architecture
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
CY7C1471XC 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述:
CY7C14722AC 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述:
CY7C14722BC 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述:
CY7C1472BC 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述:
CY7C1472BV25-200AXC 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 72MB (4Mx18) 2.5v 200MHz 靜態(tài)隨機存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
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