參數(shù)資料
型號(hào)： CY7C1471V33-133BZXC
廠商： CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： DRAM
英文描述： 72-Mbit (2M x 36/4M x 18/1M x 72) Flow-Through SRAM with NoBL Architecture
中文描述： 2M X 36 ZBT SRAM, 6.5 ns, PBGA165
封裝： 15 X 17 MM, 1.40 MM HEIGHT, LEAD FREE, FBGA-165
文件頁數(shù)： 2/29頁
文件大?。?/td> 375K
代理商： CY7C1471V33-133BZXC
PRELIMINARY
CY7C1471V33
CY7C1473V33
CY7C1475V33
Document #: 38-05288 Rev. *E
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1
C
MODE
BW
A
BW
B
WE
CE1
CE2
CE3
ZZ
OE
READ LOGIC
DQs
DQP
A
DQP
B
MEMORY
ARRAY
E
INPUT
REGISTER
ADDRESS
REGISTER
WRITE REGISTRY
AND DATA COHERENCY
CONTROL LOGIC
BURST
LOGIC
A0'
A1'
D1
D0
Q1
Q0
A0
A1
ADV/LD
CE
ADV/LD
C
CLK
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DRIVERS
D
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I
N
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WRITE ADDRESS
REGISTER
A0, A1, A
O
U
T
P
U
T
B
U
F
F
E
R
S
E
CSLEEP
Logic Block Diagram – CY7C1473V33 (4M x 18)
C
MODE
BW
A
BW
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CE1
CE2
CE3
OE
READ LOGIC
DQs
DQP
A
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MEMORY
ARRAY
E
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REGISTER
BW
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REGISTER
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AND DATA COHERENCY
CONTROL LOGIC
BURST
LOGIC
A0'
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D1
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Q1
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ADV/LD
CE
ADV/LD
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REGISTER
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F
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SLEEP
CONTROL
Logic Block Diagram – CY7C1471V33 (2M x 36)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
CY7C1471V33-100AXC 72-Mbit (2M x 36/4M x 18/1M x 72) Flow-Through SRAM with NoBL Architecture
CY7C1474V33-250BGI 72-Mbit (2M x 36/4M x 18/1M x 72) Pipelined SRAM with NoBL⑩ Architecture
CY7C1474V33-250BGXI 72-Mbit (2M x 36/4M x 18/1M x 72) Pipelined SRAM with NoBL⑩ Architecture
CY7C1475V25-100BGI 72-Mbit (2M x 36/4M x 18/1M x 72) Flow-Through SRAM with NoBL⑩ Architecture
CY7C1475V25-100BGXI 72-Mbit (2M x 36/4M x 18/1M x 72) Flow-Through SRAM with NoBL⑩ Architecture
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
CY7C1471XC 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述:
CY7C14722AC 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述:
CY7C14722BC 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述:
CY7C1472BC 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述:
CY7C1472BV25-200AXC 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 72MB (4Mx18) 2.5v 200MHz 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
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