- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網 > PDF目錄379072 > CY7C1393BV18-300BZXC (CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP) 18-Mbit DDR-II SIO SRAM 2-Word Burst Architecture PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | CY7C1393BV18-300BZXC |
| 廠商： | CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 18-Mbit DDR-II SIO SRAM 2-Word Burst Architecture |
| 中文描述： | 1M X 18 DDR SRAM, 0.45 ns, PBGA165 |
| 封裝： | 13 X 15 MM, 1.40 MM HEIGHT, LEAD FREE, MO-216, FBGA-165 |
| 文件頁數(shù)： | 5/27頁 |
| 文件大?。?/td> | 446K |
| 代理商： | CY7C1393BV18-300BZXC |
第1頁第2頁第3頁第4頁當前第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁
CY7C1392BV18
CY7C1992BV18
CY7C1393BV18
CY7C1394BV18
Document Number: 38-05623 Rev. *C
Page 5 of 27
Pin Configurations
(continued)
CY7C1393BV18 (1M x 18)
2
3
4
5
6
K
K
A
7
1
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
N
P
R
A
CQ
NC
NC
NC
NC
NC
NC
DOFF
NC
NC
NC
NC
NC/144M
Q9
NC
D11
NC/36M
D9
D10
Q10
Q11
D12
Q13
BWS
1
NC
A
V
SS
V
SS
V
DD
V
DD
R/W
A
V
SS
V
SS
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
SS
V
SS
A
A
NC/288M
NC
NC
TDO
NC
Q12
D13
V
REF
NC
Q15
NC
D17
NC
TCK
NC
BWS
0
A
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
DD
V
DD
V
DD
A
C
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
DD
V
SS
V
DDQ
D14
Q14
D15
D16
Q16
Q17
A
V
DD
V
DD
V
DD
V
SS
V
SS
A
A
V
DD
V
SS
A
A
C
A
8
9
A
10
11
CQ
Q8
D8
D7
Q0
NC/72M
NC
Q7
NC
D6
LD
A
V
SS
V
SS
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
SS
V
SS
A
A
NC
NC
NC
NC
NC
NC
Q6
Q5
D5
ZQ
NC
D0
NC
NC
V
REF
Q4
D3
NC
Q1
Q3
Q2
V
DDQ
NC
NC
NC
NC
NC
NC
D4
D2
D1
TDI
TMS
A
165-ball FBGA (13 x 15 x 1.4 mm) Pinout
CY7C1394BV18 (512K x 36)
2
3
4
5
6
K
K
A
7
1
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
N
P
R
A
CQ
Q27
D27
D28
Q29
D34
Q35
DOFF
D31
Q32
Q33
D33
NC/288M
Q18
Q28
D20
NC/72M
D18
D19
Q19
Q20
D21
Q22
BWS
2
BWS
3
A
V
SS
V
SS
V
DD
V
DD
R/W
A
V
SS
V
SS
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
SS
V
SS
A
A
BWS
1
BWS
0
A
V
SS
Q30
D30
TDO
D29
Q21
D22
V
REF
D32
Q24
Q34
D26
Q31
TCK
D35
V
SS
V
SS
V
SS
V
DD
V
DD
V
DD
A
C
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
DD
V
SS
V
DDQ
D23
Q23
D24
D25
Q25
Q26
A
V
DD
V
DD
V
DD
V
SS
V
SS
A
A
V
DD
V
SS
A
A
C
A
8
9
10
11
CQ
Q8
D8
D7
Q0
NC/36M
D17
D16
Q16
Q15
D14
Q13
NC/144M
Q17
Q7
D15
D6
LD
A
V
SS
V
SS
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
SS
V
SS
A
A
Q6
Q5
D5
ZQ
D9
D0
Q14
D13
V
REF
Q4
D3
Q11
Q1
Q3
Q2
V
DDQ
D12
Q12
D11
D10
Q10
Q9
D4
D2
D1
TDI
TMS
A
[+] Feedback
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| CY7C1393BV18-300BZXI | 18-Mbit DDR-II SIO SRAM 2-Word Burst Architecture |
| CY7C1394BV18-167BZC | 18-Mbit DDR-II SIO SRAM 2-Word Burst Architecture |
| CY7C1394BV18-167BZI | 18-Mbit DDR-II SIO SRAM 2-Word Burst Architecture |
| CY7C1394BV18-167BZXC | 18-Mbit DDR-II SIO SRAM 2-Word Burst Architecture |
| CY7C1394BV18-167BZXI | 18-Mbit DDR-II SIO SRAM 2-Word Burst Architecture |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| CY7C1393CV18-250BXZC | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述: 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述: |
| CY7C1393CV18-250BZXC | 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 1Mx18 1.8V DDRII SIO (2-Word Burst) RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
| CY7C1393DC | 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述: |
| CY7C1393JV18-300BZXC | 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 1Mx18 1.8V DDRII SIO (2-Word Burst) RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
| CY7C1393KV18-250BZI | 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 18432KB 1ms 380mA RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。