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參數(shù)資料
| 型號： | CY7C1393BV18-300BZXC |
| 廠商： | CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 18-Mbit DDR-II SIO SRAM 2-Word Burst Architecture |
| 中文描述： | 1M X 18 DDR SRAM, 0.45 ns, PBGA165 |
| 封裝： | 13 X 15 MM, 1.40 MM HEIGHT, LEAD FREE, MO-216, FBGA-165 |
| 文件頁數(shù)： | 22/27頁 |
| 文件大小： | 446K |
| 代理商： | CY7C1393BV18-300BZXC |
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CY7C1392BV18
CY7C1992BV18
CY7C1393BV18
CY7C1394BV18
Document Number: 38-05623 Rev. *C
Page 22 of 27
t
CQOH
t
CHCQX
Echo Clock Hold after C/C
Clock Rise
Echo Clock High to Data
Change
Echo Clock High to Data
Change
Clock (C/C) Rise to High-Z
(Active to High-Z)
[26, 27]
Clock (C/C) Rise to
Low-Z
[26, 27]
–0.45
–
–0.45
–
–0.45
–
–0.45
–
–0.50
–
ns
t
CQD
t
CQHQV
–
0.27
–
0.27
–
0.30
–
0.35
–
0.40
ns
t
CQDOH
t
CQHQX
–0.27
–
–0.27
–
–0.30
–
–0.35
–
–0.40
–
ns
t
CHZ
t
CHQZ
–
0.45
–
0.45
–
0.45
–
0.45
–
0.50
ns
t
CLZ
t
CHQX1
–0.45
–
–0.45
–
–0.45
–
–0.45
–
–0.50
–
ns
DLL Timing
t
KC Var
t
KC lock
t
KC Reset
t
KC Var
t
KC lock
t
KC Reset
Clock Phase Jitter
DLL Lock Time (K, C)
K Static to DLL Reset
–
0.20
–
–
0.20
–
–
0.20
–
–
0.20
–
–
0.20
–
ns
1024
30
1024
30
1024
30
1024
30
1024
30
Cycles
ns
Notes:
26.t
, t
, are specified with a load capacitance of 5 pF as in (b) of AC Test Loads. Transition is measured
±
100 mV from steady-state voltage.
27.At any given voltage and temperature t
CHZ
is less than t
CLZ
and t
CHZ
less than t
CO
.
Switching Characteristics
Over the Operating Range
[22,23]
(continued)
Cypress
Parameter
Consortium
Parameter
Description
300 MHz
Min. Max. Min. Max. Min. Max. Min. Max. Min. Max.
278 MHz
250 MHz
200 MHz
167 MHz
Unit
[+] Feedback
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| CY7C1393BV18-300BZXI | 18-Mbit DDR-II SIO SRAM 2-Word Burst Architecture |
| CY7C1394BV18-167BZC | 18-Mbit DDR-II SIO SRAM 2-Word Burst Architecture |
| CY7C1394BV18-167BZI | 18-Mbit DDR-II SIO SRAM 2-Word Burst Architecture |
| CY7C1394BV18-167BZXC | 18-Mbit DDR-II SIO SRAM 2-Word Burst Architecture |
| CY7C1394BV18-167BZXI | 18-Mbit DDR-II SIO SRAM 2-Word Burst Architecture |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| CY7C1393CV18-250BXZC | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述: 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述: |
| CY7C1393CV18-250BZXC | 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器 1Mx18 1.8V DDRII SIO (2-Word Burst) RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
| CY7C1393DC | 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述: |
| CY7C1393JV18-300BZXC | 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器 1Mx18 1.8V DDRII SIO (2-Word Burst) RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
| CY7C1393KV18-250BZI | 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器 18432KB 1ms 380mA RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
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