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參數(shù)資料
| 型號： | CY7C1393BV18-300BZXC |
| 廠商： | CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 18-Mbit DDR-II SIO SRAM 2-Word Burst Architecture |
| 中文描述： | 1M X 18 DDR SRAM, 0.45 ns, PBGA165 |
| 封裝： | 13 X 15 MM, 1.40 MM HEIGHT, LEAD FREE, MO-216, FBGA-165 |
| 文件頁數(shù)： | 2/27頁 |
| 文件大小： | 446K |
| 代理商： | CY7C1393BV18-300BZXC |
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CY7C1392BV18
CY7C1992BV18
CY7C1393BV18
CY7C1394BV18
Document Number: 38-05623 Rev. *C
Page 2 of 27
Logic Block Diagram (CY7C1392BV18)
1M x 8
Memory
Array
CLK
Gen.
A
(19:0)
K
K
Control
Logic
Address
Register
D
[7:0]
R
Read Data Reg.
LD
NWS
0
NWS
1
Q
[7:0]
Control
Logic
Reg.
Reg.
Reg.
8
8
16
Write
Data Reg
8
V
REF
W
Write
Data Reg
1M x 8
Memory
Array
8
8
20
8
C
C
R/W
LD
R/W
CQ
CQ
DOFF
Logic Block Diagram (CY7C1992BV18)
1M x 9
Memory
Array
CLK
Gen.
A
(19:0)
K
K
Control
Logic
Address
Register
D
[8:0]
R
Read Data Reg.
LD
BWS
0
Q
[8:0]
Control
Logic
Reg.
Reg.
Reg.
9
9
18
Write
Data Reg
9
V
REF
W
Write
Data Reg
1M x 9
Memory
Array
9
9
20
9
C
C
R/W
LD
R/W
CQ
CQ
DOFF
[+] Feedback
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| CY7C1393BV18-300BZXI | 18-Mbit DDR-II SIO SRAM 2-Word Burst Architecture |
| CY7C1394BV18-167BZC | 18-Mbit DDR-II SIO SRAM 2-Word Burst Architecture |
| CY7C1394BV18-167BZI | 18-Mbit DDR-II SIO SRAM 2-Word Burst Architecture |
| CY7C1394BV18-167BZXC | 18-Mbit DDR-II SIO SRAM 2-Word Burst Architecture |
| CY7C1394BV18-167BZXI | 18-Mbit DDR-II SIO SRAM 2-Word Burst Architecture |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| CY7C1393CV18-250BXZC | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述: 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述: |
| CY7C1393CV18-250BZXC | 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器 1Mx18 1.8V DDRII SIO (2-Word Burst) RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
| CY7C1393DC | 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述: |
| CY7C1393JV18-300BZXC | 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器 1Mx18 1.8V DDRII SIO (2-Word Burst) RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
| CY7C1393KV18-250BZI | 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器 18432KB 1ms 380mA RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
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