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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | CY7C1393BV18-300BZXC |
| 廠商： | CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 18-Mbit DDR-II SIO SRAM 2-Word Burst Architecture |
| 中文描述： | 1M X 18 DDR SRAM, 0.45 ns, PBGA165 |
| 封裝： | 13 X 15 MM, 1.40 MM HEIGHT, LEAD FREE, MO-216, FBGA-165 |
| 文件頁數(shù)： | 3/27頁 |
| 文件大?。?/td> | 446K |
| 代理商： | CY7C1393BV18-300BZXC |
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CY7C1392BV18
CY7C1992BV18
CY7C1393BV18
CY7C1394BV18
Document Number: 38-05623 Rev. *C
Page 3 of 27
Logic Block Diagram (CY7C1393BV18)
512K x 18
Memory
Array
CLK
Gen.
A
(18:0)
K
K
Control
Logic
Address
Register
D
[17:0]
R
Read Data Reg.
LD
BWS
0
BWS
1
Q
[17:0]
Control
Logic
Reg.
Reg.
Reg.
18
18
36
Write
Data Reg
18
V
REF
W
Write
Data Reg
512K x 18
Memory
Array
18
18
19
18
C
C
R/W
LD
R/W
CQ
CQ
DOFF
Logic Block Diagram (CY7C1394BV18)
36
128K x 36
Memory
Array
CLK
Gen.
A
(17:0)
K
K
Control
Logic
Address
Register
D
[35:0]
R
Read Data Reg.
LD
BWS
[3:0]
Q
[35:0]
Control
Logic
Reg.
Reg.
Reg.
36
36
72
Write
Data Reg
V
REF
W
Write
Data Reg
128K x 36
Memory
Array
36
36
18
36
C
C
R/W
LD
R/W
CQ
CQ
DOFF
[+] Feedback
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| CY7C1393BV18-300BZXI | 18-Mbit DDR-II SIO SRAM 2-Word Burst Architecture |
| CY7C1394BV18-167BZC | 18-Mbit DDR-II SIO SRAM 2-Word Burst Architecture |
| CY7C1394BV18-167BZI | 18-Mbit DDR-II SIO SRAM 2-Word Burst Architecture |
| CY7C1394BV18-167BZXC | 18-Mbit DDR-II SIO SRAM 2-Word Burst Architecture |
| CY7C1394BV18-167BZXI | 18-Mbit DDR-II SIO SRAM 2-Word Burst Architecture |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| CY7C1393CV18-250BXZC | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述: 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述: |
| CY7C1393CV18-250BZXC | 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 1Mx18 1.8V DDRII SIO (2-Word Burst) RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
| CY7C1393DC | 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述: |
| CY7C1393JV18-300BZXC | 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 1Mx18 1.8V DDRII SIO (2-Word Burst) RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
| CY7C1393KV18-250BZI | 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 18432KB 1ms 380mA RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
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