參數(shù)資料
型號： CY7C1393BV18-300BZXC
廠商： CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： DRAM
英文描述： 18-Mbit DDR-II SIO SRAM 2-Word Burst Architecture
中文描述： 1M X 18 DDR SRAM, 0.45 ns, PBGA165
封裝： 13 X 15 MM, 1.40 MM HEIGHT, LEAD FREE, MO-216, FBGA-165
文件頁數(shù)： 24/27頁
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代理商： CY7C1393BV18-300BZXC
CY7C1392BV18
CY7C1992BV18
CY7C1393BV18
CY7C1394BV18
Document Number: 38-05623 Rev. *C
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167
CY7C1392BV18-167BZC
51-85180 165-ball Fine Pitch Ball Grid Array (13 x 15 x 1.4 mm)
CY7C1992BV18-167BZC
CY7C1393BV18-167BZC
CY7C1394BV18-167BZC
CY7C1392BV18-167BZXC 51-85180 165-ball Fine Pitch Ball Grid Array (13 x 15 x 1.4 mm) Lead-Free
CY7C1992BV18-167BZXC
CY7C1393BV18-167BZXC
CY7C1394BV18-167BZXC
CY7C1392BV18-167BZI
51-85180 165-ball Fine Pitch Ball Grid Array (13 x 15 x 1.4 mm)
CY7C1992BV18-167BZI
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CY7C1392BV18-167BZXI
51-85180 165-ball Fine Pitch Ball Grid Array (13 x 15 x 1.4 mm) Lead-Free
CY7C1992BV18-167BZXI
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200
CY7C1392BV18-200BZC
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CY7C1392BV18-200BZXC 51-85180 165-ball Fine Pitch Ball Grid Array (13 x 15 x 1.4 mm) Lead-Free
CY7C1992BV18-200BZXC
CY7C1393BV18-200BZXC
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51-85180 165-ball Fine Pitch Ball Grid Array (13 x 15 x 1.4 mm)
CY7C1992BV18-200BZI
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51-85180 165-ball Fine Pitch Ball Grid Array (13 x 15 x 1.4 mm) Lead-Free
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250
CY7C1392BV18-250BZC
51-85180 165-ball Fine Pitch Ball Grid Array (13 x 15 x 1.4 mm)
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CY7C1392BV18-250BZXC 51-85180 165-ball Fine Pitch Ball Grid Array (13 x 15 x 1.4 mm) Lead-Free
CY7C1992BV18-250BZXC
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CY7C1393BV18-300BZXI 18-Mbit DDR-II SIO SRAM 2-Word Burst Architecture
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CY7C1393DC 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述:
CY7C1393JV18-300BZXC 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器 1Mx18 1.8V DDRII SIO (2-Word Burst) RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
CY7C1393KV18-250BZI 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器 18432KB 1ms 380mA RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
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