參數(shù)資料
型號： CY7C1361C-117BGC
廠商： Cypress Semiconductor Corp.
英文描述： 9-Mbit (256K x 36/512K x 18) Flow-Through SRAM
中文描述： 9兆位（256 × 36/512K × 18）流通過的SRAM
文件頁數(shù)： 20/30頁
文件大?。?/td> 491K
代理商： CY7C1361C-117BGC
PRELIMINARY
CY7C1361C
CY7C1363C
Document #: 38-05541 Rev. *A
Page 20 of 30
Thermal Resistance
[15]
Parameter
Θ
JA
Description
Test Conditions
Test conditions follow standard
test methods and procedures
for measuring thermal
impedance, per EIA/JESD51
TQFP
Package
25
BGA
Package
25
fBGA
Package
27
Unit
°
C/W
Thermal Resistance
(Junction to Ambient)
Thermal Resistance
(Junction to Case)
Θ
JC
9
6
6
°
C/W
Capacitance
[15]
Parameter
C
IN
C
CLK
C
I/O
Description
Test Conditions
T
A
= 25
°
C, f = 1 MHz,
V
DD
= 3.3V
V
DDQ
= 2.5V
TQFP
Package
5
5
5
BGA
Package
5
5
7
fBGA
Package
5
5
7
Unit
pF
pF
pF
Input Capacitance
Clock Input Capacitance
Input/Output Capacitance
AC Test Loads and Waveforms
Switching Characteristics
Over the Operating Range
[20, 21]
Parameter
t
POWER
Clock
t
CYC
t
CH
t
CL
Output Times
t
CDV
t
DOH
t
CLZ
t
CHZ
t
OEV
t
OELZ
Note:
15.Tested initially and after any design or process change that may affect these parameters.
Description
133 MHz
Min.
1
117 MHz
Min.
1
100 MHz
Min.
1
Unit
ms
Max.
Max.
Max.
V
DD
(Typical) to the first Access
[16]
Clock Cycle Time
Clock HIGH
Clock LOW
7.5
3.0
3.0
8.5
3.2
3.2
10
4.0
4.0
ns
ns
ns
Data Output Valid After CLK Rise
Data Output Hold After CLK Rise
Clock to Low-Z
[17, 18, 19]
Clock to High-Z
[17, 18, 19]
OE LOW to Output Valid
OE LOW to Output Low-Z
[17, 18, 19]
6.5
7.5
8.5
ns
ns
ns
ns
ns
ns
2.0
0
2.0
0
2.0
0
3.5
3.5
3.5
3.5
3.5
3.5
0
0
0
OUTPUT
R = 317
R = 351
5 pF
INCLUDING
JIG AND
SCOPE
(a)
(b)
OUTPUT
R
L
= 50
Z
0
= 50
V
T
= 1.5V
3.3V
ALL INPUT PULSES
V
DDQ
GND
90%
10%
90%
10%
≤
1ns
≤
1ns
(c)
OUTPUT
R = 1667
R =1538
5 pF
INCLUDING
JIG AND
SCOPE
(a)
(b)
OUTPUT
R
L
= 50
Z
0
= 50
V
T
= 1.25V
2.5V
ALL INPUT PULSES
V
DDQ
GND
90%
10%
90%
10%
≤
1ns
≤
1ns
(c)
3.3V I/O Test Load
2.5V I/O Test Load
相關(guān)PDF資料
PDF描述
CY7C1361C-117BGI 9-Mbit (256K x 36/512K x 18) Flow-Through SRAM
CY7C1361C-117BZC 9-Mbit (256K x 36/512K x 18) Flow-Through SRAM
CY7C1361C-117BZI 9-Mbit (256K x 36/512K x 18) Flow-Through SRAM
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CY7C1372C-167BGC 512K x 36/1M x 18 Pipelined SRAM with NoBL Architecture
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參數(shù)描述
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CY7C1361C-133AJXCKJ 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述:
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