參數(shù)資料
型號(hào)： CY7C1361C-117BGC
廠商： Cypress Semiconductor Corp.
英文描述： 9-Mbit (256K x 36/512K x 18) Flow-Through SRAM
中文描述： 9兆位（256 × 36/512K × 18）流通過(guò)的SRAM
文件頁(yè)數(shù)： 17/30頁(yè)
文件大?。?/td> 491K
代理商： CY7C1361C-117BGC
PRELIMINARY
CY7C1361C
CY7C1363C
Document #: 38-05541 Rev. *A
Page 17 of 30
119-Ball BGA Boundary Scan Order
CY7C1361C (256K x 36)
Signal
Name
BIT#
CLK
GW
BWE
OE
ADSC
ADSP
ADV
A
CY7C1363C (512K x 18)
Signal
Name
CLK
GW
BWE
OE
ADSC
ADSP
ADV
A
BIT#
1
2
3
4
5
6
7
8
BALL
ID
BALL ID
P4
N4
R6
T5
T3
R2
R3
P2
Signal
Name
A0
A1
A
A
A
A
MODE
DQP
D
DQ
D
DQ
D
DQ
D
DQ
D
DQ
D
DQ
D
DQ
D
DQ
D
Internal
BIT#
1
2
3
4
5
6
7
8
BALL ID
BIT#
37
38
39
40
41
42
43
44
BALL ID
P4
N4
R6
T5
T3
R2
R3
Internal
Signal
Name
A0
A1
A
A
A
A
MODE
Internal
K4
H4
M4
F4
B4
A4
G4
C3
37
38
39
40
41
42
43
44
K4
H4
M4
F4
B4
A4
G4
C3
9
B3
A
45
P1
9
B3
A
45
Internal
Internal
10
D6
DQP
B
DQ
B
DQ
B
DQ
B
DQ
B
DQ
B
DQ
B
DQ
B
DQ
B
ZZ
46
L2
10
T2
A
46
Internal
Internal
11
H7
47
K1
11
Internal
Internal
47
Internal
Internal
12
G6
48
N2
12
Internal
Internal
48
P2
DQP
B
DQ
B
DQ
B
DQ
B
DQ
B
Internal
13
E6
49
N1
13
Internal
Internal
49
N1
14
D7
50
M2
14
D6
DQP
A
DQ
A
DQ
A
DQ
A
DQ
A
ZZ
50
M2
15
E7
51
L1
15
E7
51
L1
16
F6
52
K2
16
F6
52
K2
17
G7
53
Internal
17
G7
53
Internal
18
H6
54
H1
DQ
C
DQ
C
DQ
C
DQ
C
DQ
C
DQ
C
DQ
C
DQ
C
DQP
C
A
18
H6
54
H1
DQ
B
DQ
B
DQ
B
DQ
B
Internal
19
T7
55
G2
19
T7
55
G2
20
K7
DQ
A
DQ
A
DQ
A
DQ
A
DQ
A
DQ
A
DQ
A
DQ
A
DQP
A
A
56
E2
20
K7
DQ
A
DQ
A
DQ
A
DQ
A
Internal
56
E2
21
L6
57
D1
21
L6
57
D1
22
N6
58
H2
22
N6
58
Internal
23
P7
59
G1
23
P7
59
Internal
Internal
24
N7
60
F2
24
Internal
60
Internal
Internal
25
M6
61
E1
25
Internal
Internal
61
Internal
Internal
26
L7
62
D2
26
Internal
Internal
62
Internal
Internal
27
K6
63
C2
27
Internal
Internal
63
C2
A
28
P6
64
A2
A
28
Internal
Internal
64
A2
A
29
T4
65
E4
CE
1
CE
2
BW
D
BW
C
BW
B
BW
A
Internal
29
T6
A
65
E4
CE
1
CE
2
Internal
30
A3
A
66
B2
30
A3
A
66
B2
31
C5
A
67
L3
31
C5
A
67
Internal
32
B5
A
68
G3
32
B5
A
68
Internal
Internal
33
A5
A
69
G5
33
A5
A
69
G3
BW
B
BW
A
Internal
34
C6
A
70
L5
34
C6
A
70
L5
35
36
A6
B6
A
A
71
Internal
35
36
A6
B6
A
A
71
Internal
相關(guān)PDF資料
PDF描述
CY7C1361C-117BGI 9-Mbit (256K x 36/512K x 18) Flow-Through SRAM
CY7C1361C-117BZC 9-Mbit (256K x 36/512K x 18) Flow-Through SRAM
CY7C1361C-117BZI 9-Mbit (256K x 36/512K x 18) Flow-Through SRAM
CY7C1370C 512K x 36/1M x 18 Pipelined SRAM with NoBL Architecture
CY7C1372C-167BGC 512K x 36/1M x 18 Pipelined SRAM with NoBL Architecture
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
CY7C1361C-133AJXC 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 256Kx36 3.3V COM Sync FT 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問(wèn)時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
CY7C1361C-133AJXCKJ 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述:
CY7C1361C-133AJXCT 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 256Kx36 3.3V COM Sync FT 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問(wèn)時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
CY7C1361C-133AXC 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 256Kx36 3.3V COM Sync FT 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問(wèn)時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
CY7C1361C-133AXCKJ 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述:
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