參數(shù)資料
型號(hào): CY62168DV3_06
廠商: Cypress Semiconductor Corp.
英文描述: 16-Mbit (2M x 8) MoBL㈢ Static RAM
中文描述: 16兆位(2米× 8)的MoBL㈢靜態(tài)RAM
文件頁(yè)數(shù): 9/9頁(yè)
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代理商: CY62168DV3_06
CY62168DV30 MoBL
Document #: 38-05329 Rev. *F
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Document History Page
Document Title: CY62168DV30 MoBL
, 16-Mbit (2M x 8) MoBL
Static RAM
Document Number: 38-05329
Issue
Date
Change
**
118409
09/30/02
*A
123693
02/05/03
REV.
ECN NO.
Orig. of
Description of Change
GUG
DPM
New Data Sheet
Changed Advance Information to Preliminary
Added package diagram
Minor change: Change sunset owner from DPM to HRT
Changed Preliminary to Final
Updated Final data sheet and added Pb-free package.
Removed redundant packages from Ordering Information Table
Added Address A
20
to ball G2 in the Pin Configuration
Changed address of Cypress Semiconductor Corporation on Page# 1 from
“3901 North First Street” to “198 Champion Court”
Removed 70 ns speed bin
Removed L power bin from product offering
Updated Ordering Information Table
*B
*C
*D
*E
126556
132869
272589
335864
04/24/03
01/15/04
See ECN
See ECN
DPM
XRJ
PCI
PCI
*F
492895
See ECN
VKN
[+] Feedback
相關(guān)PDF資料
PDF描述
CY62168DV30LL-55BVI 16-Mbit (2M x 8) MoBL㈢ Static RAM
CY62168DV30LL-55BVXI 16-Mbit (2048K x 8) Static RAM
CY62168DV30 16-Mbit (2048K x 8) Static RAM
CY62168DV30L-55BVXI 16-Mbit (2048K x 8) Static RAM
CY62168DV30L-70BVXI 16-Mbit (2048K x 8) Static RAM
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
CY62168DV30L-70BVI 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述:SRAM Chip Async Single 2.5V/3.3V 16M-Bit 2M x 8 70ns 48-Pin VFBGA 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:16M (2M X 8)- 3.0V SLOW ASYNCH SRAM - Bulk
CY62168DV30LL-55BVI 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 SLO 3.0V SUPER LO PWR 2MEGX8 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 IND RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問(wèn)時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
CY62168DV30LL-55BVIT 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 SLO 3.0V SUPER LO PWR 2MEGX8 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 IND RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問(wèn)時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
CY62168DV30LL-55BVXI 功能描述:IC SRAM 16MBIT 55NS 48VFBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:MoBL® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:移動(dòng) SDRAM 存儲(chǔ)容量:256M(8Mx32) 速度:133MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.95 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:90-VFBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:90-VFBGA(8x13) 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:557-1327-2
CY62168DV30LL-55BVXIT 功能描述:IC SRAM 16MBIT 55NS 48VFBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:MoBL® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:移動(dòng) SDRAM 存儲(chǔ)容量:256M(8Mx32) 速度:133MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.95 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:90-VFBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:90-VFBGA(8x13) 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:557-1327-2