參數(shù)資料
型號: CY62168DV3_06
廠商: Cypress Semiconductor Corp.
英文描述: 16-Mbit (2M x 8) MoBL㈢ Static RAM
中文描述: 16兆位(2米× 8)的MoBL㈢靜態(tài)RAM
文件頁數(shù): 6/9頁
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代理商: CY62168DV3_06
CY62168DV30 MoBL
Document #: 38-05329 Rev. *F
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Switching Waveforms
Read Cycle No. 1 (Address Transition Controlled)
[14, 15]
Read Cycle No. 2 (OE Controlled)
[15, 16]
Write Cycle No. 1 (WE Controlled)
[13, 17, 18]
Notes:
14.Device is continuously selected. OE, CE
1
= V
IL
, CE
2
= V
IH
.
15.WE is HIGH for read cycle.
16.Address valid prior to or coincident with CE
1
transition LOW and CE
2
transition HIGH.
17.Data I/O is high impedance if OE = V
.
18.If CE
goes HIGH or CE
goes LOW simultaneously with WE HIGH, the output remains in high-impedance state.
19.During this period, the I/Os are in output state and input signals should not be applied.
PREVIOUS DATA VALID
DATA VALID
t
RC
t
AA
t
OHA
ADDRESS
DATA OUT
50%
50%
DATA VALID
t
RC
t
ACE
t
DOE
t
LZOE
t
LZCE
t
PU
HIGH IMPEDANCE
t
HZOE
t
HZCE
t
PD
HIGH
I
CC
I
SB
IMPEDANCE
OE
CE
1
ADDRESS
DATA OUT
SUPPLY
CURRENT
V
CC
CE
2
t
HD
t
SD
t
PWE
t
SA
t
HA
t
AW
t
SCE
t
VALID DATA
See Note 19
t
WC
HZOE
CE
1
ADDRESS
CE
2
WE
DATA I/O
OE
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相關(guān)PDF資料
PDF描述
CY62168DV30LL-55BVI 16-Mbit (2M x 8) MoBL㈢ Static RAM
CY62168DV30LL-55BVXI 16-Mbit (2048K x 8) Static RAM
CY62168DV30 16-Mbit (2048K x 8) Static RAM
CY62168DV30L-55BVXI 16-Mbit (2048K x 8) Static RAM
CY62168DV30L-70BVXI 16-Mbit (2048K x 8) Static RAM
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
CY62168DV30L-70BVI 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述:SRAM Chip Async Single 2.5V/3.3V 16M-Bit 2M x 8 70ns 48-Pin VFBGA 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:16M (2M X 8)- 3.0V SLOW ASYNCH SRAM - Bulk
CY62168DV30LL-55BVI 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器 SLO 3.0V SUPER LO PWR 2MEGX8 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器 IND RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
CY62168DV30LL-55BVIT 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器 SLO 3.0V SUPER LO PWR 2MEGX8 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器 IND RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
CY62168DV30LL-55BVXI 功能描述:IC SRAM 16MBIT 55NS 48VFBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:MoBL® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:移動 SDRAM 存儲容量:256M(8Mx32) 速度:133MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.95 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:90-VFBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:90-VFBGA(8x13) 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:557-1327-2
CY62168DV30LL-55BVXIT 功能描述:IC SRAM 16MBIT 55NS 48VFBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:MoBL® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:移動 SDRAM 存儲容量:256M(8Mx32) 速度:133MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.95 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:90-VFBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:90-VFBGA(8x13) 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:557-1327-2