參數(shù)資料
型號(hào)： CY62168DV3_06
廠商： Cypress Semiconductor Corp.
英文描述： 16-Mbit (2M x 8) MoBL㈢ Static RAM
中文描述： 16兆位（2米× 8）的MoBL㈢靜態(tài)RAM
文件頁數(shù)： 4/9頁
文件大?。?/td> 305K
代理商： CY62168DV3_06
CY62168DV30 MoBL
Document #: 38-05329 Rev. *F
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Thermal Resistance
[8]
Parameter
Θ
JA
Description
Test Conditions
VFBGA
55
Unit
°
C/W
Thermal Resistance
(Junction to Ambient)
Thermal Resistance
(Junction to Case)
Still Air, soldered on a 3 x 4.5 inch,
2-layer printed circuit board
Θ
JC
16
°
C/W
AC Test Loads and Waveforms
Parameters
R1
R2
R
TH
V
TH
2.5V
16600
15400
8000
1.2
3.0V
1103
1554
645
1.75
Unit
V
Data Retention Characteristics
(Over the Operating Range)
Parameter
Description
Conditions
Min.
Typ.
[3]
Max.
Unit
V
DR
V
CC
for Data Retention
1.5
3.6
V
I
CCDR
Data Retention Current
V
CC
= 1.5V
CE
1
> V
CC
0.2V or CE
2
<0.2V
V
IN
> V
CC
0.2V or V
IN
< 0.2V
10
μ
A
t
CDR[8]
Chip Deselect to Data
Retention Time
0
ns
t
R[9]
Operation Recovery
Time
t
RC
ns
Data Retention Waveform
Note:
9. Full Device AC operation requires linear V
CC
ramp from V
DR
to V
CC(min.)
> 100
μ
s or stable at V
CC(min.)
> 100
μ
s.
V
CC
V
CC
OUTPUT
R2
50 pF
INCLUDING
JIG AND
SCOPE
GND
90%
10%
90%
10%
OUTPUT
V
TH
Equivalent to:
THE VENIN EQUIVALENT
R
TH
ALL INPUT PULSES
R1
Fall time: 1 V/ns
Rise Time: 1 V/ns
V
CC(min)
t
R
V
CC(min)
t
CDR
V
DR
> 1.5 V
DATA RETENTION MODE
CE
1
or
V
CC
CE
2
[+] Feedback
相關(guān)PDF資料
PDF描述
CY62168DV30LL-55BVI 16-Mbit (2M x 8) MoBL㈢ Static RAM
CY62168DV30LL-55BVXI 16-Mbit (2048K x 8) Static RAM
CY62168DV30 16-Mbit (2048K x 8) Static RAM
CY62168DV30L-55BVXI 16-Mbit (2048K x 8) Static RAM
CY62168DV30L-70BVXI 16-Mbit (2048K x 8) Static RAM
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
CY62168DV30L-70BVI 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述:SRAM Chip Async Single 2.5V/3.3V 16M-Bit 2M x 8 70ns 48-Pin VFBGA 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:16M (2M X 8)- 3.0V SLOW ASYNCH SRAM - Bulk
CY62168DV30LL-55BVI 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 SLO 3.0V SUPER LO PWR 2MEGX8 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 IND RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
CY62168DV30LL-55BVIT 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 SLO 3.0V SUPER LO PWR 2MEGX8 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 IND RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
CY62168DV30LL-55BVXI 功能描述:IC SRAM 16MBIT 55NS 48VFBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:MoBL® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:移動(dòng) SDRAM 存儲(chǔ)容量:256M（8Mx32） 速度:133MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.95 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:90-VFBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:90-VFBGA（8x13） 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:557-1327-2
CY62168DV30LL-55BVXIT 功能描述:IC SRAM 16MBIT 55NS 48VFBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:MoBL® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:移動(dòng) SDRAM 存儲(chǔ)容量:256M（8Mx32） 速度:133MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.95 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:90-VFBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:90-VFBGA（8x13） 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:557-1327-2
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