參數(shù)資料
型號： CY62147EV18
廠商： Cypress Semiconductor Corp.
英文描述： 4-Mbit (256K x 16) Static RAM
中文描述： 4兆位（256K × 16）靜態(tài)RAM
文件頁數(shù)： 7/12頁
文件大?。?/td> 388K
代理商： CY62147EV18
CY62147EV18 MoBL2
Document #: 38-05441 Rev. *F
Page 7 of 12
Figure 6
shows the Write Cycle No.1 that is WE Controlled.
[15, 19, 20]
Figure 6. Write Cycle No. 1
Figure 7
shows the Write Cycle No.2 that is CE Controlled.
[15, 19, 20]
Figure 7. Write Cycle No. 2
Switching Waveforms
(continued)
t
HD
t
SD
t
PWE
t
SA
t
HA
t
AW
t
WC
t
HZOE
DATA
IN
NOTE 21
t
BW
t
SCE
DATA IO
ADDRESS
CE
WE
OE
BHE/BLE
t
HD
t
SD
t
PWE
t
HA
t
AW
t
SCE
t
WC
t
HZOE
DATA
IN
t
BW
t
SA
CE
ADDRESS
WE
DATA IO
OE
BHE/BLE
NOTE 21
Notes:
19.Data IO is high impedance if OE = V
.
20.If CE goes HIGH simultaneously with WE = V
, the output remains in a high impedance state.
21.During this period, the IOs are in output state. Do not apply input signals.
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PDF描述
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參數(shù)描述
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CY62147EV18LL 制造商:CYPRESS 制造商全稱:Cypress Semiconductor 功能描述:4-Mbit (256K x 16) Static RAM
CY62147EV18LL-45BVXI 功能描述:IC SRAM 4MBIT 45NS 48VFBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:MoBL® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:移動 SDRAM 存儲容量:256M（8Mx32） 速度:133MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.95 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:90-VFBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:90-VFBGA（8x13） 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:557-1327-2
CY62147EV18LL-45BVXIT 功能描述:IC SRAM 4MBIT 45NS 48VFBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:MoBL® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:移動 SDRAM 存儲容量:256M（8Mx32） 速度:133MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.95 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:90-VFBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:90-VFBGA（8x13） 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:557-1327-2
CY62147EV18LL-55BVXI 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器 4M MoBL Ultra Lo PWR HI SPD MicroPWR RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
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