參數(shù)資料
型號： CY62147EV18
廠商： Cypress Semiconductor Corp.
英文描述： 4-Mbit (256K x 16) Static RAM
中文描述： 4兆位（256K × 16）靜態(tài)RAM
文件頁數(shù)： 6/12頁
文件大小： 388K
代理商： CY62147EV18
CY62147EV18 MoBL2
Document #: 38-05441 Rev. *F
Page 6 of 12
Switching Waveforms
Figure 4
shows the Read Cycle No.1 that is address transition controlled.
[16, 17]
Figure 4. Read Cycle No. 1
Figure 5
shows the Read Cycle No.2 that is OE controlled
.
[17, 18]
Figure 5. Read Cycle No. 2
PREVIOUS DATA VALID
DATA VALID
t
RC
t
AA
t
OHA
ADDRESS
DATA OUT
50%
50%
DATA VALID
t
RC
t
ACE
t
LZBE
t
LZCE
t
PU
HIGH MPEDANCE
I
CC
t
HZOE
t
HZCE
t
PD
t
HZBE
t
LZOE
t
DBE
t
DOE
IMPEDANCE
HIGH
I
SB
DATA OUT
OE
CE
V
CC
SUPPLY
CURRENT
BHE/BLE
ADDRESS
Notes:
16.The device is continuously selected. OE, CE
= V
IL
, BHE, BLE or both = V
IL
.
17.WE is HIGH for read cycle.
18.Address valid before or similar to CE and BHE, BLE transition LOW.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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參數(shù)描述
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CY62147EV18LL 制造商:CYPRESS 制造商全稱:Cypress Semiconductor 功能描述:4-Mbit (256K x 16) Static RAM
CY62147EV18LL-45BVXI 功能描述:IC SRAM 4MBIT 45NS 48VFBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:MoBL® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:移動 SDRAM 存儲容量:256M（8Mx32） 速度:133MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.95 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:90-VFBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:90-VFBGA（8x13） 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:557-1327-2
CY62147EV18LL-45BVXIT 功能描述:IC SRAM 4MBIT 45NS 48VFBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:MoBL® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:移動 SDRAM 存儲容量:256M（8Mx32） 速度:133MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.95 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:90-VFBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:90-VFBGA（8x13） 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:557-1327-2
CY62147EV18LL-55BVXI 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 4M MoBL Ultra Lo PWR HI SPD MicroPWR RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
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