參數(shù)資料
型號： BUK752R3-40C
廠商： NXP Semiconductors N.V.
元件分類： 功率晶體管
英文描述： N-channel TrenchMOS standard level FET
中文描述： N溝道TrenchMOS標(biāo)準(zhǔn)電平場效應(yīng)管
封裝： BUK752R3-40C<SOT78A (TO-220AB)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT78A.html<1<Always Pb-free,;
文件頁數(shù)： 8/14頁
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代理商： BUK752R3-40C
BUK752R3-40C_3
NXP B.V. 2009. All rights reserved.
Product data sheet
Rev. 03 — 26 January 2009
8 of 14
NXP Semiconductors
BUK752R3-40C
N-channel TrenchMOS standard level FET
Fig 6.
Output characteristics: drain current as a
function of drain-source voltage; typical values
Fig 7.
Drain-source on-state resistance as a function
of drain current; typical values
Fig 8.
Forward transconductance as a function of
drain current; typical values
Fig 9.
Transfer characteristics: drain current as a
function of gate-source voltage; typical values
V
DS
(V)
0
10
8
4
6
2
003aab005
100
200
300
I
D
(A)
0
5.5
5
4.5
20
10
7
6.5
V
GS
(V) = 6
003aab007
I
D
(A)
0
300
200
100
3
4
2
5
6
R
DSon
(m
Ω
)
1
6.5
7
10
20
8
V
GS
(V) = 5.5
003aab008
0
60
120
180
0
20
40
60
80
I
D
(A)
g
fs
(S)
003aab010
0
100
200
300
400
0
1
3
4
6
7
V
GS
(V)
I
D
(A)
T
j
= 175
°
C
T
j
= 25
°
C
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BUK752R7-30B N-channel TrenchMOS standard level FET
BUK7535-100A N-channel TrenchMOS standard level FET
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BUL48A Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO3 Metal Package
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參數(shù)描述
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BUK752R3-40E 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET N-CH 40V 120A TO220
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BUK752R7-30B,127 功能描述:MOSFET HIGH PERF TRENCHMOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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