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參數(shù)資料
| 型號： | BUK108-50GS |
| 廠商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | PowerMOS transistor TOPFET(功率MOS晶體管TOPFET) |
| 中文描述： | 15 A, 50 V, 0.125 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 文件頁數(shù)： | 9/12頁 |
| 文件大?。?/td> | 116K |
| 代理商： | BUK108-50GS |
Philips Semiconductors
Product specification
PowerMOS transistor
TOPFET
BUK108-50GS
Fig.24. Typical switching waveforms, inductive load.
V
DD
= 13 V; I
D
= 3 A; R
I
= 50
, T
j
= 25 C.
Fig.25. Typical switching waveforms, inductive load.
V
DD
= 13 V; I
D
= 3 A; R
I
= 50
, T
j
= 25 C.
Fig.26. Normalised limiting clamping energy.
E
DSM
% = f(T
mb
); conditions: I
D
= 15 A; V
IS
= 10 V
Fig.27. Clamping energy test circuit, R
IS
= 50
.
E
DSM
=
0.5
LI
D
Fig.28. Typical off-state leakage current.
I
DSS
= f(T
j
); Conditions: V
DS
= 40 V; I
IS
= 0 V.
Fig.29. Normalised input current (normal operation).
I
IS
/I
IS
25 C = f(T
j
); V
IS
= 10 V
0
2
4
6
8
10
INDUCTIVE TURN-ON
time / us
BUK108-50GS
10
5
0
VIS / V
VDS
ID / A
10%
10%
90%
td on
tr
L
D.U.T.
VDD
RIS
R 01
shunt
VDS
-ID/100
+
-
VIS
0
P
D
S
I
TOPFET
ID
0
VDS
0
VDD
V(CL)DSS
Schottky
2
V
(
CL
)
DSS
/(
V
(
CL
)
DSS
V
DD
)
0
20
40
60
80
100
120
140
Tj / C
Idss
1 mA
100 uA
10 uA
1 uA
100 nA
typ.
0
10
20
INDUCTIVE TURN-OFF
time / us
BUK108-50GS
15
10
5
0
VIS / V
VDS / V
ID / A
90%
90%
10%
td off
tf
0
20
40
60
80
100
120
140
Tmb / C
EDSM%
120
110
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
-60
-20
20
60
Tj / C
100
140
180
Iiso normalised to 25 C
1.5
1
0.5
June 1996
9
Rev 1.000
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BUK109-50DL | PowerMOS transistor Logic level TOPFET(功率MOS場效應(yīng)管邏輯電平TOPFET) |
| BUK109-50GL | PowerMOS transistor Logic level TOPFET(功率MOS場效應(yīng)管邏輯電平TOPFET) |
| BUK109-50GS | PowerMOS transistor TOPFET(功率MOS晶體管TOPFET) |
| BUK111-50GL | Logic level TOPFET SMD version of BUK112-50GL |
| BUK112-50GL | N-Channel Enhancement MOSFET |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| BUK109-50DL | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:N-Channel Enhancement MOSFET |
| BUK109-50DL,118 | 功能描述:MOSFET N-CH 50V 26A SOT404 RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> PMIC - MOSFET，電橋驅(qū)動器 - 內(nèi)部開關(guān) 系列:TOPFET™ 標準包裝:1,000 系列:- 類型:高端/低端驅(qū)動器 輸入類型:SPI 輸出數(shù):8 導(dǎo)通狀態(tài)電阻:850 毫歐，1.6 歐姆 電流 - 輸出 / 通道:205mA，410mA 電流 - 峰值輸出:500mA，1A 電源電壓:9 V ~ 16 V 工作溫度:-40°C ~ 150°C 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:20-SOIC（0.295"，7.50mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PG-DSO-20-45 包裝:帶卷 (TR) |
| BUK109-50GL | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:PowerMOS transistor Logic level TOPFET |
| BUK109-50GS | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:PowerMOS transistor TOPFET |
| BUK110-50DL | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:PowerMOS transistor Logic level TOPFET |
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