參數(shù)資料
型號(hào)： BUK108-50GS
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： JFETs
英文描述： PowerMOS transistor TOPFET(功率MOS晶體管TOPFET)
中文描述： 15 A, 50 V, 0.125 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
文件頁(yè)數(shù)： 8/12頁(yè)
文件大?。?/td> 116K
代理商： BUK108-50GS
Philips Semiconductors
Product specification
PowerMOS transistor
TOPFET
BUK108-50GS
Fig.18. Typical DC input characteristics, T
j
= 25 C.
I
ISL
= f(V
IS
); overload protection operated
I
D
= 0 A
Fig.19. Typical reverse diode current, T
= 25 C.
I
S
= f(V
SDS
); conditions: V
IS
= 0 V; t
p
= 250
μ
s
Fig.20. Test circuit for resistive load switching times.
Fig.21. Typical switching waveforms, resistive load.
V
DD
= 13 V; R
L
= 4
; R
I
= 50
, T
j
= 25 C.
Fig.22. Typical switching waveforms, resistive load.
V
DD
= 13 V; R
L
= 4
; R
I
= 50
, T
j
= 25 C.
Fig.23. Test circuit for inductive load switching times.
0
2
4
6
8
10
12
14
VIS / V
IIS / mA
BUK108-50GS
5
4
3
2
1
0
PROTECTION LATCHED
NORMAL
RESET
0
10
20
RESISTIVE TURN-ON
time / us
BUK108-50GS
10
5
0
VIS / V
ID / A
VDS / V
10%
10%
td on
90%
tr
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
BUK108-50GS
VSD / V
IS / A
60
50
40
30
20
10
0
0
10
20
RESISTIVE TURN-OFF
time / us
BUK108-50GS
10
5
0
VIS / V
VDS / V
ID / A
90%
90%
td off
10%
tf
VDD
D.U.T.
R
0V
0R1
I
VIS
ID measure
D
S
I
TOPFET
P
RL
: adjust for correct ID
VDD = VCL
LD
D.U.T.
R
0V
tp
0R1
I
VIS
ID measure
D
S
I
TOPFET
P
June 1996
8
Rev 1.000
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BUK109-50DL PowerMOS transistor Logic level TOPFET(功率MOS場(chǎng)效應(yīng)管邏輯電平TOPFET)
BUK109-50GL PowerMOS transistor Logic level TOPFET(功率MOS場(chǎng)效應(yīng)管邏輯電平TOPFET)
BUK109-50GS PowerMOS transistor TOPFET(功率MOS晶體管TOPFET)
BUK111-50GL Logic level TOPFET SMD version of BUK112-50GL
BUK112-50GL N-Channel Enhancement MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
BUK109-50DL 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:N-Channel Enhancement MOSFET
BUK109-50DL,118 功能描述:MOSFET N-CH 50V 26A SOT404 RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> PMIC - MOSFET，電橋驅(qū)動(dòng)器 - 內(nèi)部開(kāi)關(guān) 系列:TOPFET™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:- 類型:高端/低端驅(qū)動(dòng)器 輸入類型:SPI 輸出數(shù):8 導(dǎo)通狀態(tài)電阻:850 毫歐，1.6 歐姆 電流 - 輸出 / 通道:205mA，410mA 電流 - 峰值輸出:500mA，1A 電源電壓:9 V ~ 16 V 工作溫度:-40°C ~ 150°C 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:20-SOIC（0.295"，7.50mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PG-DSO-20-45 包裝:帶卷 (TR)
BUK109-50GL 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:PowerMOS transistor Logic level TOPFET
BUK109-50GS 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:PowerMOS transistor TOPFET
BUK110-50DL 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:PowerMOS transistor Logic level TOPFET
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