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參數(shù)資料
| 型號： | BUK108-50GS |
| 廠商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | PowerMOS transistor TOPFET(功率MOS晶體管TOPFET) |
| 中文描述： | 15 A, 50 V, 0.125 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 文件頁數(shù)： | 6/12頁 |
| 文件大?。?/td> | 116K |
| 代理商： | BUK108-50GS |
Philips Semiconductors
Product specification
PowerMOS transistor
TOPFET
BUK108-50GS
Fig.6. Typical output characteristics, T
= 25 C.
ID = f(V
DS
); parameter V
IS
; t
p
= 250
μ
s & t
p
< t
d sc
Fig.7. Typical on-state characteristics, T
j
= 25 C.
ID = f(V
DS
); parameter V
IS
; t
p
= 250
μ
s
Fig.8. Typical on-state resistance, T
= 25 C.
R
DS(ON)
= f(I
D
); parameter V
IS
; t
p
= 250
μ
s
Fig.9. Typical transfer characteristics, T
= 25 C.
I
D
= f(V
IS
) ; conditions: V
DS
= 10 V; t
p
= 250
μ
s
Fig.10. Typical transconductance, T
= 25 C.
g
fs
= f(I
D
); conditions: V
DS
= 10 V; t
p
= 250
μ
s
Fig.11. Normalised drain-source on-state resistance.
a = R
DS(ON)
/R
DS(ON)
25 C = f(T
j
); I
D
= 7.5 A; V
IS
= 5 V
0
4
8
12
16
20
24
28
32
BUK108-50GS
VDS / V
ID / A
60
50
40
30
20
10
0
8
9
10
11
7
6
5
4
3
0
2
4
6
8
10
12
BUK108-50GS
VIS / V
ID / A
60
50
40
30
20
10
0
0
2
4
VDS / V
ID / A
BUK108-50GS
50
40
30
20
10
0
4
5
6
7
10
9
8
VIS / V =
1
3
5
0
20
40
ID / A
gfs / S
BUK108-50GS
12
11
10
9
8
7
6
5
4
3
2
1
0
10
30
50
0
20
40
ID / A
BUK108-50GS
0.20
0.15
0.10
0.05
0
6
8
10
7
9
5
4
RDS(ON) / Ohm
VIS / V =
10
30
50
-60
-40
-20
0
20
40
Tj / C
60
80
100 120 140
a
Normalised RDS(ON) = f(Tj)
1.5
1.0
0.5
0
June 1996
6
Rev 1.000
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BUK109-50DL | PowerMOS transistor Logic level TOPFET(功率MOS場效應(yīng)管邏輯電平TOPFET) |
| BUK109-50GL | PowerMOS transistor Logic level TOPFET(功率MOS場效應(yīng)管邏輯電平TOPFET) |
| BUK109-50GS | PowerMOS transistor TOPFET(功率MOS晶體管TOPFET) |
| BUK111-50GL | Logic level TOPFET SMD version of BUK112-50GL |
| BUK112-50GL | N-Channel Enhancement MOSFET |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| BUK109-50DL | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:N-Channel Enhancement MOSFET |
| BUK109-50DL,118 | 功能描述:MOSFET N-CH 50V 26A SOT404 RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> PMIC - MOSFET，電橋驅(qū)動器 - 內(nèi)部開關(guān) 系列:TOPFET™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:- 類型:高端/低端驅(qū)動器 輸入類型:SPI 輸出數(shù):8 導(dǎo)通狀態(tài)電阻:850 毫歐，1.6 歐姆 電流 - 輸出 / 通道:205mA，410mA 電流 - 峰值輸出:500mA，1A 電源電壓:9 V ~ 16 V 工作溫度:-40°C ~ 150°C 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:20-SOIC（0.295"，7.50mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PG-DSO-20-45 包裝:帶卷 (TR) |
| BUK109-50GL | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:PowerMOS transistor Logic level TOPFET |
| BUK109-50GS | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:PowerMOS transistor TOPFET |
| BUK110-50DL | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:PowerMOS transistor Logic level TOPFET |
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