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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | BUK108-50GS |
| 廠商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | PowerMOS transistor TOPFET(功率MOS晶體管TOPFET) |
| 中文描述： | 15 A, 50 V, 0.125 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 5/12頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 116K |
| 代理商： | BUK108-50GS |
Philips Semiconductors
Product specification
PowerMOS transistor
TOPFET
BUK108-50GS
REVERSE DIODE CHARACTERISTICS
T
mb
= 25 C
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
TYP.
MAX.
UNIT
V
SDS
t
rr
Forward voltage
I
S
= 15 A; V
IS
= 0 V; t
p
= 300
μ
s
not applicable
1
-
1.0
1.5
V
Reverse recovery time
-
-
-
-
ENVELOPE CHARACTERISTICS
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
TYP.
MAX.
UNIT
L
d
Internal drain inductance
Measured from upper edge of tab
to centre of die
Measured from source lead
solering point to source bond pad
-
2.5
-
nH
L
s
Internal source inductance
-
7.5
-
nH
Fig.2. Normalised limiting power dissipation.
P
D
% = 100
P
D
/P
D
(25 C) = f(T
mb
)
Fig.3. Normalised continuous drain current.
I
D
% = 100
I
D
/I
D
(25 C) = f(T
mb
); conditions: V
IS
= 5 V
Fig.4. Safe operating area. T
= 25 C
I
D
& I
DM
= f(V
DS
); I
DM
single pulse; parameter t
p
Fig.5. Transient thermal impedance.
Z
th
j-mb
= f(t); parameter D = t
p
/T
0
20
40
60
80
100
120
140
Tmb / C
PD%
Normalised Power Derating
120
110
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
1
100
VDS / V
100
10
1
0.1
BUK108-50GS
10
ID & IDM / A
DC
Overload protection characteristics not shown
100 us
1 ms
10 ms
100 ms
10 us
tp =
RDS(ON)=VDSID
0
20
40
60
80
100
120
140
Tmb / C
ID%
Normalised Current Derating
120
110
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
1E-07
1E-05
1E-03
t / s
1E-01
1E+01
Zth / (K/W)
10
1
0.1
0.01
0
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
D =
t
p
t
p
T
T
P
t
D
D =
BUK108-50GS
1
The reverse diode of this type is not intended for applications requiring fast reverse recovery.
June 1996
5
Rev 1.000
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BUK109-50DL | PowerMOS transistor Logic level TOPFET(功率MOS場(chǎng)效應(yīng)管邏輯電平TOPFET) |
| BUK109-50GL | PowerMOS transistor Logic level TOPFET(功率MOS場(chǎng)效應(yīng)管邏輯電平TOPFET) |
| BUK109-50GS | PowerMOS transistor TOPFET(功率MOS晶體管TOPFET) |
| BUK111-50GL | Logic level TOPFET SMD version of BUK112-50GL |
| BUK112-50GL | N-Channel Enhancement MOSFET |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| BUK109-50DL | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:N-Channel Enhancement MOSFET |
| BUK109-50DL,118 | 功能描述:MOSFET N-CH 50V 26A SOT404 RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> PMIC - MOSFET，電橋驅(qū)動(dòng)器 - 內(nèi)部開(kāi)關(guān) 系列:TOPFET™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:- 類型:高端/低端驅(qū)動(dòng)器 輸入類型:SPI 輸出數(shù):8 導(dǎo)通狀態(tài)電阻:850 毫歐，1.6 歐姆 電流 - 輸出 / 通道:205mA，410mA 電流 - 峰值輸出:500mA，1A 電源電壓:9 V ~ 16 V 工作溫度:-40°C ~ 150°C 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:20-SOIC（0.295"，7.50mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PG-DSO-20-45 包裝:帶卷 (TR) |
| BUK109-50GL | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:PowerMOS transistor Logic level TOPFET |
| BUK109-50GS | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:PowerMOS transistor TOPFET |
| BUK110-50DL | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:PowerMOS transistor Logic level TOPFET |
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