參數(shù)資料
型號(hào)： BUJ403BX
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 功率晶體管
英文描述： Silicon Diffused Power Transistor(硅擴(kuò)散功率型晶體管)
中文描述： 6 A, 525 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
封裝： PLASTIC, FULL PACK-3
文件頁數(shù)： 5/7頁
文件大?。?/td> 58K
代理商： BUJ403BX
Philips Semiconductors
Product specification
Silicon Diffused Power Transistor
BUJ403BX
Fig.13. Transient thermal impedance.
Z
th j-hs
= f(t); parameter D = t
p
/T
Fig.14. Reverse bias safe operating area. T
j
≤
T
j max
Fig.15. Test circuit for reverse bias safe operating
area.
V
cl
≤
1200V; V
cc
= 150V; V
= -5V; L
B
= 1
μ
H;L
c
=
200
μ
H
1u
100u
10m
1
100
t / s
Zth / (K/W)
10
1
0.1
0.01
0.001
D=0
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
10u
1m
100m
10
D =
tp
T
T
P
D
t
t
p
BU1706AX
LB
IBon
-VBB
LC
T.U.T.
VCC
PROBE POINT
VCL(RBSOAR)
0
200
400
600
800
1,000
1,200
1,400
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
VCEclamp (V)
IC (A)
November 1999
5
Rev 1.100
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BUJ403 Silicon Diffused Power Transistor
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