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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | BUJ100B |
| 英文描述： | TRANSISTOR | BJT | NPN | 350V V(BR)CEO | 1A I(C) | TO-92 |
| 中文描述： | 晶體管|晶體管|叩| 350V五（巴西）總裁| 1A條一（c）|至92 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 6/8頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 57K |
| 代理商： | BUJ100B |
Philips Semiconductors
Product specification
Silicon Diffused Power Transistor
BUJ100B
Fig.19. Resistive switching.
tf = f(I
C
)
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
IC /A
1.4
1.6
1.8
2
2.2
50
100
200
500
1,000
2,000
5,000
tf /ns
IC/IB = 3
IC/IB = 5
IC/IB = 10
Fig.20. Test Circuit for the RBSOA test.
V
cl
≤
700V; V
cc
= 150V; L
B
= 1
μ
H; L
c
= 200
μ
H
Fig.21. Reverse
bias safe operating area T
j
≤
T
jmax
for -V
BE
= 9V, 5V,3V & 1V
LB
IBon
-VBB
LC
T.U.T.
VCC
PROBE POINT
VCL(RBSOAR)
0
100
200
300
VCEclamp/V
400
500
600
700
800
0
0.25
0.5
0.75
1
1.25
1.5
1.75
2
2.25
2.5
IC/A
-9V
-5V
-3V
-1V
May 2001
6
Rev 1.000
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