- 您現(xiàn)在的位置：買(mǎi)賣(mài)IC網(wǎng) > PDF目錄369561 > BUJ100B TRANSISTOR | BJT | NPN | 350V V(BR)CEO | 1A I(C) | TO-92 PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號(hào)： | BUJ100B |
| 英文描述： | TRANSISTOR | BJT | NPN | 350V V(BR)CEO | 1A I(C) | TO-92 |
| 中文描述： | 晶體管|晶體管|叩| 350V五（巴西）總裁| 1A條一（c）|至92 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 5/8頁(yè) |
| 文件大小： | 57K |
| 代理商： | BUJ100B |
Philips Semiconductors
Product specification
Silicon Diffused Power Transistor
BUJ100B
Fig.13. Inductive switching.
tsi = f(h
FE
)
Fig.14. Inductive switching.
tsi = f(I
C
)
RESISTIVE SWITCHING
Fig.15. Test circuit resistive load. V
= -6 to +8 V
V
CC
= 250 V; t
= 20
μ
s;
δ
= t
p
/ T = 0.01.
R
B
and R
L
calculated from I
Con
and I
Bon
requirements.
Fig.16. Switching times waveforms with resistive load.
Fig.17. Resistive switching.
ton = f(I
C
)
Fig.18. Resistive switching.
ts = f(I
C
)
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
HFE GAIN (IC/IB)
tsi /us
IC = 1.5A
IC = 1A
IC = 0.5A
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
IC/A
1.4
1.6
1.8
2
2.2
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
tsi /us
IC/IB = 3
IC/IB = 5
IC/IB = 10
tp
T
VCC
R
R
T.U.T.
0
VIM
B
L
IC
IB
10 %
10 %
90 %
90 %
ton
toff
ts
tf
IBon
-IBoff
ICon
tr
30ns
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
IC/A
1.4
1.6
1.8
2
2.2
0
0.5
1
1.5
2
ton /us
IC/IB = 10
IC/IB = 5
IC/IB = 3
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
IC/A
1.4
1.6
1.8
2
2.2
0
0.5
1
1.5
2
2.5
ts us
IC/IB = 3
IC/IB = 5
IC/IB = 10
May 2001
5
Rev 1.000
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BUJ103AU | Silicon Diffused Power Transistor(硅擴(kuò)散功率型晶體管) |
| BUJ105AX | Silicon Diffused Power Transistor(硅擴(kuò)散功率型晶體管) |
| BUJ106AX | Silicon Diffused Power Transistor(硅擴(kuò)散功率型晶體管) |
| BUJ403AX | Silicon Diffused Power Transistor(硅擴(kuò)散功率型晶體管) |
| BUJ403BX | Silicon Diffused Power Transistor(硅擴(kuò)散功率型晶體管) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| BUJ100B,116 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT TAPERA BIPOLAR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| BUJ100LR | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:TRANSISTORNPN400V1ATO-92 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:TRANSISTOR,NPN,400V,1A,TO-92 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:TRANSISTOR,NPN,400V,1A,TO-92; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:400V; Power Dissipation Pd:2.1W; DC Collector Current:1A; DC Current Gain hFE:7.5; No. of Pins:3 ;RoHS Compliant: Yes |
| BUJ100LR,126 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT Trans GP BJT NPN 400V 1A 3-Pin RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| BUJ100LR,412 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT Trans GP BJT NPN 400V 1A 3-Pin RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| BUJ100LR126 | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:NPN POWER TRANSISTOR 400 V 1 A 3-TO-9 |
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。