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參數(shù)資料
| 型號： | BUJ100B |
| 英文描述： | TRANSISTOR | BJT | NPN | 350V V(BR)CEO | 1A I(C) | TO-92 |
| 中文描述： | 晶體管|晶體管|叩| 350V五（巴西）總裁| 1A條一（c）|至92 |
| 文件頁數(shù)： | 4/8頁 |
| 文件大?。?/td> | 57K |
| 代理商： | BUJ100B |
Philips Semiconductors
Product specification
Silicon Diffused Power Transistor
BUJ100B
Fig.7. Collector-Emitter saturation voltage.
Solid Lines = typ values, I
C
/I
B
= 3
Fig.8. Base-Emitter saturation voltage.
Solid Lines = typ values, I
C
/I
B
= 3
INDUCTIVE SWITCHING
Fig.9. Test circuit inductive load.
V
CC
= 300 V; -V
BE
= 5 V, L
C
= 200
μ
H; L
B
= 1
μ
H
Fig.10. Switching times waveforms with inductive load.
Fig.11. Inductive switching.
tfi = f(h
FE
)
Fig.12. Inductive switching.
tfi = f(I
C
)
0.01
0.02
0.05
0.1
0.2
0.5
1
2
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
IC/A
VCEsat/V
0.01
0.02
0.05
0.1
0.2
0.5
1
2
0.6
0.7
0.8
0.9
1
1.1
1.2
1.3
IC/A
VBEsat/V
LB
IBon
-VBB
LC
T.U.T.
VCC
IC
IB
ICon
90 %
IBon
-IBoff
t
t
ts
toff
tf
10 %
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
0
50
100
150
200
HFE GAIN (IC/IB)
tfi /ns
IC = 1.5A
IC = 1A
IC = 0.5A
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
IC/A
1.4
1.6
1.8
2
2.2
0
50
100
150
200
250
tfi /ns
IC/IB = 10
IC/IB = 5
May 2001
4
Rev 1.000
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