參數(shù)資料
型號(hào)： BSP090
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： JFETs
英文描述： P-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor
中文描述： 5.7 A, 30 V, 0.09 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： PLASTIC, SMD, 4 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 8/12頁(yè)
文件大?。?/td> 124K
代理商： BSP090
1997 Mar 13
8
Philips Semiconductors
Product specification
P-channel enhancement mode vertical
D-MOS transistor
BSP090
Fig.10 Source current as a function of source-drain
diode forward voltage; typical values.
V
GD
= 0.
(1) T
amb
= 150
°
C; t
p
= 80
μ
s;
δ
= 0.
(2) T
amb
= 25
°
C; t
p
= 80
μ
s;
δ
= 0.
(3) T
amb
=
65
°
C; t
p
= 80
μ
s;
δ
= 0.
handbook, halfpage
IS
(A)
0
12
8
4
0
0.5
1.5
2.0
1.0
(1)
(2) (3)
VSD (V)
2.5
MGD733
Fig.11 Drain-source on-state resistance as a
function of gate-source voltage;
typical values.
T
amb
= 25
°
C; t
p
= 80
μ
s;
δ
= 0.
V
DS
≥
I
D
×
R
DSon
.
handbook, halfpage
10
0
RDSon
(m
)
2
4
6
8
VGS (V)
3
10
2
10
MGD734
ID =
100 mA
500 mA
1.4 A
2.8 A
5.5 A
10 A
15 A
22 A
Fig.12 Temperature coefficient of gate-source
threshold voltage as a function of junction
temperature; typical values.
V
GSth
at V
DS
= V
GS
; I
D
=
1 mA.
k
V
at T
GSth
at 25
°
C
V
=
handbook, halfpage
k
75
175
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
25
25
75
125
Tj (
°
C)
MGD735
handbook, halfpage
0.6
1.0
1.4
MGD736
75
175
25
25
(2)
k
75
125
Tj (
°
C)
(1)
Fig.13 Temperature coefficient of drain-source
on-resistance as a function of junction
temperature; typical values.
(1) R
DSon
at V
GS
=
10 V; I
D
=
2.8 A.
(2) R
DSon
at V
GS
=
4.5 V; I
D
=
1.4 A.
k
R
at T
DSon
at 25
°
C
R
=
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PDF描述
BSP106 INDUCTOR TOROID W/HDR 75UH 15%
BSP107 N-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor
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參數(shù)描述
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BSP-1 功能描述:標(biāo)準(zhǔn)環(huán)形連接器 NP-C plugs neutriCon SC8/MC8;Brown RoHS:否 制造商:Hirose Connector 系列:EM-W 產(chǎn)品類型:Accessories 位置/觸點(diǎn)數(shù)量:1 觸點(diǎn)類型: 觸點(diǎn)電鍍: 安裝風(fēng)格:Cable 外殼材質(zhì): 端接類型:Clamp 電壓額定值:
BSP100 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET N SOT-223 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET, N, SOT-223 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET N-Channel 30V 3.2A SOT223
BSP100 /T3 功能描述:MOSFET TAPE13 MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
BSP100,135 功能描述:MOSFET TAPE13 MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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