參數(shù)資料
型號： BSP121
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： JFETs
英文描述： N-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor
中文描述： 0.35 A, 200 V, 6 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
文件頁數(shù)： 1/12頁
文件大?。?/td> 75K
代理商： BSP121
DATA SHEET
Product specification
Supersedes data of April 1995
File under Discrete Semiconductors, SC13b
1998 Apr 01
DISCRETE SEMICONDUCTORS
BSP121
N-channel enhancement mode
vertical D-MOS transistor
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BSP127 N-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor
BSP128 N-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor
BSP145 N-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor
BSP16T3 TRANSISTOR | BJT | PNP | 300V V(BR)CEO | 1A I(C) | SOT-223
BSP16 PNP high-voltage transistor
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
BSP121T/R 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 240V V(BR)DSS | 300MA I(D) | SOT-223
BSP122 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:N-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor
BSP122 T/R 功能描述:MOSFET TAPE-7 MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
BSP122,115 功能描述:MOSFET TAPE-7 MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
BSP122.5SM-25-GW-T/R 制造商:International Components Corporation 功能描述:BUZZER, SUFACE MOUNT PIEZO, 4100+-500 HZ, DIA. 12.8 X 12.8 MM, HEIGHT 2.5MM 制造商:INTERVOX/ICC 功能描述:BSP Series 25 V 30 % 16000 Capacitance 70 C 1.0 KHz SMD Piezo Buzzer
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*