參數(shù)資料
型號： BSP121
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： JFETs
英文描述： N-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor
中文描述： 0.35 A, 200 V, 6 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
文件頁數(shù)： 3/12頁
文件大?。?/td> 75K
代理商： BSP121
1998 Apr 01
3
Philips Semiconductors
Product specification
N-channel enhancement mode vertical
D-MOS transistor
BSP121
RATINGS
Limiting values in accordance with the Absolute Maximum System (IEC 134)
THERMAL RESISTANCE
Note
1.
Device mounted on an epoxy printed-circuit board 40 mm
×
40 mm
×
1.5 mm; mounting pad for the drain lead
min. 6 cm
2
.
Drain-source voltage
Gate-source voltage (open drain)
Drain current (DC)
Drain current (peak)
Total power dissipation up to
T
amb
= 25
°
C (note 1)
Storage temperature range
Junction temperature
V
DS
±
V
GSO
I
D
I
DM
max.
max.
max.
max.
200 V
20 V
350 mA
1.2 A
P
tot
T
stg
T
j
max.
65 to + 150
°
C
max.
1.5 W
150
°
C
From junction to ambient (note 1)
R
thj-a
=
83.3 K/W
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