參數(shù)資料
型號： BSP121
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： JFETs
英文描述： N-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor
中文描述： 0.35 A, 200 V, 6 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
文件頁數(shù)： 6/12頁
文件大?。?/td> 75K
代理商： BSP121
1998 Apr 01
6
Philips Semiconductors
Product specification
N-channel enhancement mode vertical
D-MOS transistor
BSP121
Fig.6
Transfer characteristic; V
DS
= 10 V;
T
j
= 25
°
C; typical values.
handbook, halfpage
ID
(A)
0
1.2
0.8
0.4
0
2
4
10
8
6
MDA746
VGS (V)
Fig.7
Capacitance as a function of drain-source
voltage; V
GS
= 0; f = 1 MHz; T
j
= 25
°
C;
typical values.
handbook, halfpage
C
(pF)
0
120
80
40
0
5
10
25
20
15
MDA747
VDS (V)
Crss
Ciss
Coss
Fig.8
T
j
= 25
°
C; typical values.
handbook, halfpage
14
4
6
8
ID
(mA)
RDSon (
)
10
12
4
10
3
10
2
10
MDA748
VGS = 10 V
5 V
4 V
Fig.9
V
GS(th)
at 1 mA; typical values.
k
V
V
GS th
)
at 25
°
C
--------------------------------------------
;
=
handbook, halfpage
50
0
50
Tj (
°
C)
k
150
1.2
0.8
0.6
1
100
MDA749
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