參數(shù)資料
型號(hào)： BSP090
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： JFETs
英文描述： P-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor
中文描述： 5.7 A, 30 V, 0.09 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： PLASTIC, SMD, 4 PIN
文件頁數(shù)： 3/12頁
文件大小： 124K
代理商： BSP090
1997 Mar 13
3
Philips Semiconductors
Product specification
P-channel enhancement mode vertical
D-MOS transistor
BSP090
LIMITING VALUES
In accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 134).
Notes
1.
2.
3.
4.
T
s
is the temperature at the soldering point of the drain lead.
Pulse width and duty cycle limited by maximum junction temperature.
Device mounted on a printed-circuit board with a R
th a-tp
(ambient to tie-point) of 27.5 K/W.
Device mounted on a printed-circuit board with a R
th a-tp
(ambient to tie-point) of 90 K/W.
THERMAL CHARACTERISTICS
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
MAX.
30
±
20
5.7
22
5
3.3
1.25
+150
+150
UNIT
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
P
tot
drain-source voltage (DC)
gate-source voltage (DC)
drain current (DC)
peak drain current
total power dissipation
65
65
V
V
A
A
W
W
W
°
C
°
C
T
s
= 100
°
C; note 1
note 2
T
s
= 100
°
C
T
amb
= 25
°
C; note 3
T
amb
= 25
°
C; note 4
T
stg
T
j
storage temperature
operating junction temperature
Source-drain diode
I
S
I
SM
source current (DC)
peak pulsed source current
T
s
= 100
°
C
note 2
3.8
15
A
A
SYMBOL
PARAMETER
VALUE
UNIT
R
th j-s
thermal resistance from junction to soldering point
10
K/W
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BSP106 INDUCTOR TOROID W/HDR 75UH 15%
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參數(shù)描述
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BSP100 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET N SOT-223 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET, N, SOT-223 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET N-Channel 30V 3.2A SOT223
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BSP100,135 功能描述:MOSFET TAPE13 MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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