參數(shù)資料
型號: BSP090
廠商: NXP SEMICONDUCTORS
元件分類: JFETs
英文描述: P-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor
中文描述: 5.7 A, 30 V, 0.09 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝: PLASTIC, SMD, 4 PIN
文件頁數(shù): 4/12頁
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代理商: BSP090
1997 Mar 13
4
Philips Semiconductors
Product specification
P-channel enhancement mode vertical
D-MOS transistor
BSP090
Fig.2 Power derating curve.
handbook, halfpage
0
Ptot
(W)
10
5
0
50
100
200
150
Ts (
°
C)
MGD716
δ
= 0.01; T
s
= 100
°
C.
(1) R
DSon
limitation.
Fig.3 SOAR.
handbook, halfpage
ID
(A)
2
10
1
10
1
10
2
MGD727
10
1
1
VDS (V)
10
10
2
(1)
tp =
10
μ
s
50
μ
s
100
μ
s
1 ms
10 ms
DC
100 ms
tp
tp
T
T
P
t
δ
=
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PDF描述
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參數(shù)描述
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BSP-1 功能描述:標(biāo)準(zhǔn)環(huán)形連接器 NP-C plugs neutriCon SC8/MC8;Brown RoHS:否 制造商:Hirose Connector 系列:EM-W 產(chǎn)品類型:Accessories 位置/觸點數(shù)量:1 觸點類型: 觸點電鍍: 安裝風(fēng)格:Cable 外殼材質(zhì): 端接類型:Clamp 電壓額定值:
BSP100 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET N SOT-223 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET, N, SOT-223 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET N-Channel 30V 3.2A SOT223
BSP100 /T3 功能描述:MOSFET TAPE13 MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
BSP100,135 功能描述:MOSFET TAPE13 MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube