參數(shù)資料
型號： BSP090
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： JFETs
英文描述： P-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor
中文描述： 5.7 A, 30 V, 0.09 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： PLASTIC, SMD, 4 PIN
文件頁數(shù)： 1/12頁
文件大?。?/td> 124K
代理商： BSP090
DATA SHEET
Product specification
Supersedes data of 1997 Jan 20
File under Discrete Semiconductors, SC07
1997 Mar 13
DISCRETE SEMICONDUCTORS
BSP090
P-channel enhancement mode
vertical D-MOS transistor
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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參數(shù)描述
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BSP100,135 功能描述:MOSFET TAPE13 MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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