參數(shù)資料
型號(hào)： BSO220N
英文描述： High Voltage Fast Recovery Rectifier Diodes
中文描述： ？小信號(hào)MOSFET。 20V的。 SO - 8封裝。導(dǎo)通狀態(tài)\u003d 0.13Ohm。 3.2A。當(dāng)?shù)毓蛦T。雙？
文件頁(yè)數(shù)： 7/8頁(yè)
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代理商： BSO220N
BSO 220N
Data Sheet
7
05.99
Typ. transfer characteristics
I
D
=
f
(
V
GS
)
parameter:
t
p
= 80 μs
V
DS
≥
2 x
I
D
x
R
DS(on) max
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
V
5.0
V
GS
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
A
6.0
I
D
Gate threshold voltage
V
GS(th)
=
f
(
T
j
)
parameter :
V
GS
=
V
DS
,
I
D
= 10 μA
-60
-20
20
60
100
V
160
T
j
0.0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
2.4
V
3.2
V
G
min
typ
max
Forward characteristics of reverse diode
I
F
=
f
(
V
SD
)
parameter:
T
j
,
t
p
= 80 μs
BSO220N
0.0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
2.4
V
3.0
V
SD
-1
10
0
10
1
10
2
10
A
I
F
T
j
= 25 C typ
T
j
= 150 C typ
T
j
= 25 C (98%)
T
j
= 150 C (98%)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BSO301SN High Voltage Fast Recovery Rectifier Diodes
BSO304SN Low Capacitance Transient Voltage Suppressor Diodes
BSO315C Low Capacitance Transient Voltage Suppressor Diodes
BSP090 P-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor
BSP106 INDUCTOR TOROID W/HDR 75UH 15%
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
BSO220N03MD G 功能描述:MOSFET OptiMOS 3 M-Series PWR-MOSFET DUAL N-CH RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
BSO220N03MDG 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:
BSO220N03MDGXUMA1 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET N-CH 30V 6A 8-Pin DSO 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:N-KANAL POWER MOS - Tape and Reel 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:MOSFET N-CH DUAL 30V 6A DSO-8
BSO220N03MS G 功能描述:MOSFET OptiMOS 3 M-Series PWR-MOSFET N-CH RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
BSO220N03MSG 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:
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