參數(shù)資料
型號： BSO220N
英文描述： High Voltage Fast Recovery Rectifier Diodes
中文描述： ？小信號MOSFET。 20V的。 SO - 8封裝。導(dǎo)通狀態(tài)\u003d 0.13Ohm。 3.2A。當?shù)毓蛦T。雙？
文件頁數(shù)： 5/8頁
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代理商： BSO220N
BSO 220N
Data Sheet
5
05.99
Drain current
I
D
=
f
(
T
A
)
0
20
40
60
80
100
120
C
160
T
A
0.0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
2.4
2.8
A
3.6
BSO220N
I
D
Power dissipation
P
tot
=
f
(
T
A
)
0
20
40
60
80
100
120
C
160
T
A
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
2.0
W
2.4
BSO220N
P
t
Safe operating area
I
D
=
f
(
V
DS
)
parameter :
D
= 0 ,
T
A
= 25 C
BSO220N
10
-1
10
0
10
1
10
2
V
V
DS
-2
10
-1
10
0
10
1
10
2
10
A
I
D
R
DSon
=
V
DS
I
D
DC
10 ms
1 ms
100 μs
tp = 21.0μs
Transient thermal impedance
Z
thJA
=
f
(t
p
)
parameter :
D
=
t
p
/
T
BSO220N
10
-5
10
-4
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
10
2
10
4
s
t
p
-1
10
0
10
1
10
2
10
K/W
Z
t
single pulse
0.01
0.02
0.05
0.10
0.20
D = 0.50
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BSO301SN High Voltage Fast Recovery Rectifier Diodes
BSO304SN Low Capacitance Transient Voltage Suppressor Diodes
BSO315C Low Capacitance Transient Voltage Suppressor Diodes
BSP090 P-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor
BSP106 INDUCTOR TOROID W/HDR 75UH 15%
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
BSO220N03MD G 功能描述:MOSFET OptiMOS 3 M-Series PWR-MOSFET DUAL N-CH RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
BSO220N03MDG 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:
BSO220N03MDGXUMA1 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET N-CH 30V 6A 8-Pin DSO 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:N-KANAL POWER MOS - Tape and Reel 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:MOSFET N-CH DUAL 30V 6A DSO-8
BSO220N03MS G 功能描述:MOSFET OptiMOS 3 M-Series PWR-MOSFET N-CH RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
BSO220N03MSG 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:
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