參數(shù)資料
型號(hào)： BSO220N
英文描述： High Voltage Fast Recovery Rectifier Diodes
中文描述： ？小信號(hào)MOSFET。 20V的。 SO - 8封裝。導(dǎo)通狀態(tài)\u003d 0.13Ohm。 3.2A。當(dāng)?shù)毓蛦T。雙？
文件頁(yè)數(shù)： 6/8頁(yè)
文件大小： 366K
代理商： BSO220N
BSO 220N
Data Sheet
6
05.99
Typ. output characteristics
I
D
=
f
(
V
DS
)
parameter:
t
p
= 80 μs
BSO220N
P
tot
= 2W
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
V
5.0
V
DS
0.0
1.0
2.0
3.0
4.0
5.0
6.0
A
8.0
I
D
VGS [V]
a
2.5
b
b
3.0
c
c
3.5
d
d
4.0
e
e
4.5
f
f
5.0
g
g
5.5
h
i
j
k
h
6.0
i
6.5
j
7.0
k
8.0
l
l
10.0
Drain-source on-resistance
R
DS(on)
=
f
(
T
j
)
parameter :
I
D
= 2.6 A,
V
GS
= 4.5 V
BSO220N
-60
-20
20
60
100
C
180
T
j
0.00
0.04
0.08
0.12
0.16
0.20
0.24
0.28
0.32
0.40
R
D
typ
98%
Typ. capacitances
C =
f
(V
DS
)
parameter:
V
GS
= 0 V,
f
= 1 MHz
0
5
10
15
V
25
V
DS
1
10
2
10
3
10
pF
C
C
rss
C
oss
C
iss
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BSO301SN High Voltage Fast Recovery Rectifier Diodes
BSO304SN Low Capacitance Transient Voltage Suppressor Diodes
BSO315C Low Capacitance Transient Voltage Suppressor Diodes
BSP090 P-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor
BSP106 INDUCTOR TOROID W/HDR 75UH 15%
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
BSO220N03MD G 功能描述:MOSFET OptiMOS 3 M-Series PWR-MOSFET DUAL N-CH RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
BSO220N03MDG 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:
BSO220N03MDGXUMA1 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET N-CH 30V 6A 8-Pin DSO 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:N-KANAL POWER MOS - Tape and Reel 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:MOSFET N-CH DUAL 30V 6A DSO-8
BSO220N03MS G 功能描述:MOSFET OptiMOS 3 M-Series PWR-MOSFET N-CH RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
BSO220N03MSG 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:
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