型號: | BSO220N |
英文描述: | High Voltage Fast Recovery Rectifier Diodes |
中文描述: | ?小信號MOSFET。 20V的。 SO - 8封裝。導通狀態(tài)\u003d 0.13Ohm。 3.2A。當?shù)毓蛦T。雙? |
文件頁數(shù): | 2/8頁 |
文件大小: | 366K |
代理商: | BSO220N |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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BSP090 | P-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor |
BSP106 | INDUCTOR TOROID W/HDR 75UH 15% |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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BSO220N03MD G | 功能描述:MOSFET OptiMOS 3 M-Series PWR-MOSFET DUAL N-CH RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
BSO220N03MDG | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述: |
BSO220N03MDGXUMA1 | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET N-CH 30V 6A 8-Pin DSO 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:N-KANAL POWER MOS - Tape and Reel 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:MOSFET N-CH DUAL 30V 6A DSO-8 |
BSO220N03MS G | 功能描述:MOSFET OptiMOS 3 M-Series PWR-MOSFET N-CH RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
BSO220N03MSG | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述: |