參數資料
型號： BSM35GP120
英文描述： IGBT Module
中文描述： IGBT模塊
文件頁數： 7/8頁
文件大?。?/td> 94K
代理商： BSM35GP120
Technische Information / Technical Information
BSM35GD120DLC E3224
IGBT-Module
IGBT-Modules
Z
t
[
t [sec]
i
1
2
3
4
r
i
[K/kW]
: IGBT
τ
i
[sec]
: IGBT
r
i
[K/kW]
: Diode
τ
i
[sec]
: Diode
85,88
289,11
22,94
42,06
0,009
47,398
0,003
0,045
348,913
0,022
0,073
310,298
0,064
0,229
93,392
0,344
I
C
V
CE
[V]
Sicherer Arbeitsbereich (RBSOA)
Reverse bias safe operation area (RBSOA)
V
GE
= 15V, R
g
= 22 Ohm, T
vj
= 125°C
Transienter Wrmewiderstand Z
thJC
= f (t)
Transient thermal impedance
0
10
20
30
40
50
60
70
80
0
200
400
600
800
1000
1200
1400
IC,Modul
IC,Chip
0,01
0,1
1
10
0,001
0,01
0,1
1
10
100
Zth:Diode
Zth:IGBT
7(8)
Seriendatenblatt_BSM35GD120DLC-E3224.xls
相關PDF資料
PDF描述
BSM35GP120G IGBT Module
BSM400GA170DLC High Voltage Rectifer Diodes
BSM50GAL100D High Voltage Rectifer Diodes
BSM50GB60DLC High Voltage Rectifer Diodes
BSM50GD120DLC High Voltage Rectifer Diodes
相關代理商/技術參數
參數描述
BSM35GP120BOSA1 功能描述:IGBT MODULE 1200V 35A 制造商:infineon technologies 系列:- 零件狀態(tài):在售 IGBT 類型:NPT 配置:三相反相器 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:1200V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:45A 功率 - 最大值:230W 電流 - 集電極截止（最大值）:500μA 不同?Vce 時的輸入電容（Cies）:1.5nF @ 25V 輸入:- NTC 熱敏電阻:是 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:模塊 供應商器件封裝:模塊 標準包裝:10
BSM35GP120G 功能描述:IGBT 模塊 1200V 35A PIM RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
BSM3650 制造商:Brady Corporation 功能描述:RUG, 36"X50,BARRIER SPILL MAT
BSM400GA120DL 制造商:SIEMENS 功能描述:400
BSM400GA120DLC 功能描述:IGBT 模塊 1200V 400A SINGLE RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
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