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BSM35GP120BOSA1

配單專家企業(yè)名單
  • 型號
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號
  • 價(jià)格
  • 說明
  • 操作
  • BSM35GP120BOSA1
    BSM35GP120BOSA1

    BSM35GP120BOSA1

  • 林沃田信息技術(shù)(深圳)有限公司
    林沃田信息技術(shù)(深圳)有限公司

    聯(lián)系人：岳先生 田小姐

    電話：0755-8278116013760181591

    地址：深圳市福田區(qū)福田街道福南社區(qū)深南中路 3037號南光捷佳大廈2906

    資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照

  • 60510

  • Infineon Technologies

  • IGBT MODULE 1200V 35

  • 22+

  • -

  • BSM35GP120BOSA1
    BSM35GP120BOSA1

    BSM35GP120BOSA1

  • 北京耐芯威科技有限公司
    北京耐芯威科技有限公司

    聯(lián)系人：劉先生

    電話：010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址：北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號和盛嘉業(yè)大廈10層1009室

    資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照

  • 5000

  • Infineon Technologies

  • 模塊

  • 21+

  • -

  • 質(zhì)量保真，價(jià)格實(shí)惠，假一罰十

  • BSM35GP120BOSA1
    BSM35GP120BOSA1

    BSM35GP120BOSA1

  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯(lián)系人：唐先生

    電話：0755-8322569219129381337（微信同號）

    地址：廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。

  • 865000

  • INFINEON

  • 原廠封裝

  • 最新批號

  • -

  • 一級代理.原裝特價(jià)現(xiàn)貨！

  • 1/1頁 40條/頁 共40條 
  • 1
BSM35GP120BOSA1 PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實(shí)際PDF為準(zhǔn)
  • 功能描述
  • IGBT MODULE 1200V 35A
  • 制造商
  • infineon technologies
  • 系列
  • -
  • 零件狀態(tài)
  • 在售
  • IGBT 類型
  • NPT
  • 配置
  • 三相反相器
  • 電壓 - 集射極擊穿（最大值）
  • 1200V
  • 電流 - 集電極（Ic）（最大值）
  • 45A
  • 功率 - 最大值
  • 230W
  • 電流 - 集電極截止（最大值）
  • 500μA
  • 不同?Vce 時(shí)的輸入電容（Cies）
  • 1.5nF @ 25V
  • 輸入
  • -
  • NTC 熱敏電阻
  • 是
  • 工作溫度
  • 150°C（TJ）
  • 安裝類型
  • 表面貼裝
  • 封裝/外殼
  • 模塊
  • 供應(yīng)商器件封裝
  • 模塊
  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝
  • 10
BSM35GP120BOSA1 技術(shù)參數(shù)
  • BSM35GP120 功能描述:IGBT MODULE 1200V 35A 制造商:infineon technologies industrial power and controls americas 系列:- 零件狀態(tài):在售 IGBT 類型:NPT 配置:三相反相器 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:1200V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:45A 功率 - 最大值:230W 不同?Vge，Ic 時(shí)的?Vce（on）:* 電流 - 集電極截止（最大值）:500μA 不同?Vce 時(shí)的輸入電容（Cies）:1.5nF @ 25V 輸入:- NTC 熱敏電阻:是 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:模塊 供應(yīng)商器件封裝:模塊 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 BSM35GD120DN2 功能描述:IGBT BSM35GD120DN2BOSA1 制造商:infineon technologies 系列:- 零件狀態(tài):停產(chǎn) IGBT 類型:NPT 配置:三相反相器 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:1200V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:50A 功率 - 最大值:280W 不同?Vge，Ic 時(shí)的?Vce（on）:3.2V @ 15V，35A 不同?Vce 時(shí)的輸入電容（Cies）:2nF @ 25V 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:模塊 供應(yīng)商器件封裝:模塊 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 BSM30GD60DLCE3224 功能描述:IGBT BSM30GD60DLCE3224BOSA1 制造商:infineon technologies 系列:- 零件狀態(tài):停產(chǎn) IGBT 類型:NPT 配置:單一 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:40A 功率 - 最大值:135W 不同?Vge，Ic 時(shí)的?Vce（on）:2.45V @ 15V，30A 電流 - 集電極截止（最大值）:500μA 不同?Vce 時(shí)的輸入電容（Cies）:1.3nF @ 25V 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:模塊 供應(yīng)商器件封裝:模塊 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 BSM300D12P2E001 功能描述:MOSFET 2N-CH 1200V 300A 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包裝:托盤 零件狀態(tài):有效 FET 類型:2 個(gè) N 通道（半橋） FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:1200V（1.2kV） 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:300A 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:- 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 68mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:35000pF @ 10V 功率 - 最大值:1875W 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:模塊 供應(yīng)商器件封裝:模塊 標(biāo)準(zhǔn)包裝:4 BSM2-X 功能描述:Terminal Butt Splice, Inline, Individual Openings Connector Crimp 14-16 AWG 制造商:panduit corp 系列:Pan-Term? 包裝:散裝 零件狀態(tài):過期 端子類型:對接接頭，直插式，單獨(dú)開口 進(jìn)線數(shù):2 端接:壓接 線規(guī):14-16 AWG 絕緣:非絕緣 特性:銅焊縫 顏色:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 BSMN1-3K BSMN2-3K BSMV1BX-CY BSMV1BX-L BSMV1BX-LY BSMV1BX-XY BSMV2BX-C BSMV2BX-M BSMV2BX-X BSMV6X-L BSMV6X-Q BSMV6X-X BSN10-2K BSN10-D BSN10-E BSN10-L BSN14-3K BSN14-C
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