參數(shù)資料
型號(hào)： BSM35GP120
英文描述： IGBT Module
中文描述： IGBT模塊
文件頁(yè)數(shù)： 4/8頁(yè)
文件大?。?/td> 94K
代理商： BSM35GP120
Technische Information / Technical Information
BSM35GD120DLC E3224
IGBT-Module
IGBT-Modules
I
C
V
CE
[V]
I
C
V
CE
[V]
0
10
20
30
40
50
60
70
0,0
0,5
1,0
1,5
2,0
2,5
3,0
3,5
4,0
Tj = 25°C
Tj = 125°C
Ausgangskennlinie (typisch) I
C
= f (V
CE
)
Output characteristic (typical)
V
GE
= 15V
0
10
20
30
40
50
60
70
0,0
0,5
1,0
1,5
2,0
2,5
3,0
3,5
4,0
4,5
5,0
VGE = 17V
VGE = 15V
VGE = 13V
VGE = 11V
VGE = 9V
VGE = 7V
Ausgangskennlinienfeld (typisch) I
C
= f (V
CE
)
Output characteristic (typical)
T
vj
= 125°C
4(8)
Seriendatenblatt_BSM35GD120DLC-E3224.xls
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BSM35GP120G IGBT Module
BSM400GA170DLC High Voltage Rectifer Diodes
BSM50GAL100D High Voltage Rectifer Diodes
BSM50GB60DLC High Voltage Rectifer Diodes
BSM50GD120DLC High Voltage Rectifer Diodes
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
BSM35GP120BOSA1 功能描述:IGBT MODULE 1200V 35A 制造商:infineon technologies 系列:- 零件狀態(tài):在售 IGBT 類型:NPT 配置:三相反相器 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:1200V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:45A 功率 - 最大值:230W 電流 - 集電極截止（最大值）:500μA 不同?Vce 時(shí)的輸入電容（Cies）:1.5nF @ 25V 輸入:- NTC 熱敏電阻:是 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:模塊 供應(yīng)商器件封裝:模塊 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10
BSM35GP120G 功能描述:IGBT 模塊 1200V 35A PIM RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
BSM3650 制造商:Brady Corporation 功能描述:RUG, 36"X50,BARRIER SPILL MAT
BSM400GA120DL 制造商:SIEMENS 功能描述:400
BSM400GA120DLC 功能描述:IGBT 模塊 1200V 400A SINGLE RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
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