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參數資料
| 型號： | BSM35GP120 |
| 英文描述： | IGBT Module |
| 中文描述： | IGBT模塊 |
| 文件頁數： | 3/8頁 |
| 文件大?。?/td> | 94K |
| 代理商： | BSM35GP120 |
Technische Information / Technical Information
BSM35GD120DLC E3224
IGBT-Module
IGBT-Modules
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
min.
typ.
max.
Innerer Wrmewiderstand
thermal resistance, junction to case
Transistor / transistor, DC
R
thJC
-
-
0,44
K/W
Diode/Diode, DC
-
-
0,8
K/W
übergangs-Wrmewiderstand
thermal resistance, case to heatsink
pro Modul / per module
λ
Paste
= 1 W/m * K /
λ
grease
= 1 W/m * K
R
thCK
-
0,02
-
K/W
Hchstzulssige Sperrschichttemperatur
maximum junction temperature
T
vj
-
-
150
°C
Betriebstemperatur
operation temperature
T
op
-40
-
125
°C
Lagertemperatur
storage temperature
T
stg
-40
-
150
°C
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
Gehuse, siehe Anlage
case, see appendix
Innere Isolation
internal insulation
AL
2
O
3
CTI
comperative tracking index
225
Anzugsdrehmoment f. mech. Befestigung
mounting torque
M1
3
6
Nm
Anzugsdrehmoment f. elektr. Anschlüsse
terminal connection torque
M2
Nm
Gewicht
weight
G
180
g
Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert.
Sie gilt in Verbindung mit den zugehrigen Technischen Erluterungen.
This technical information specifies semiconductor devices but promises no characteristics. It is
valid in combination with the belonging technical notes.
3(8)
Seriendatenblatt_BSM35GD120DLC-E3224.xls
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BSM35GP120G | IGBT Module |
| BSM400GA170DLC | High Voltage Rectifer Diodes |
| BSM50GAL100D | High Voltage Rectifer Diodes |
| BSM50GB60DLC | High Voltage Rectifer Diodes |
| BSM50GD120DLC | High Voltage Rectifer Diodes |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| BSM35GP120BOSA1 | 功能描述:IGBT MODULE 1200V 35A 制造商:infineon technologies 系列:- 零件狀態(tài):在售 IGBT 類型:NPT 配置:三相反相器 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:1200V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:45A 功率 - 最大值:230W 電流 - 集電極截止（最大值）:500μA 不同?Vce 時的輸入電容（Cies）:1.5nF @ 25V 輸入:- NTC 熱敏電阻:是 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:模塊 供應商器件封裝:模塊 標準包裝:10 |
| BSM35GP120G | 功能描述:IGBT 模塊 1200V 35A PIM RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: |
| BSM3650 | 制造商:Brady Corporation 功能描述:RUG, 36"X50,BARRIER SPILL MAT |
| BSM400GA120DL | 制造商:SIEMENS 功能描述:400 |
| BSM400GA120DLC | 功能描述:IGBT 模塊 1200V 400A SINGLE RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: |
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