型號(hào): | BSM35GP120 |
英文描述: | IGBT Module |
中文描述: | IGBT模塊 |
文件頁數(shù): | 6/8頁 |
文件大小: | 94K |
代理商: | BSM35GP120 |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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BSM35GP120G | IGBT Module |
BSM400GA170DLC | High Voltage Rectifer Diodes |
BSM50GAL100D | High Voltage Rectifer Diodes |
BSM50GB60DLC | High Voltage Rectifer Diodes |
BSM50GD120DLC | High Voltage Rectifer Diodes |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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BSM35GP120BOSA1 | 功能描述:IGBT MODULE 1200V 35A 制造商:infineon technologies 系列:- 零件狀態(tài):在售 IGBT 類型:NPT 配置:三相反相器 電壓 - 集射極擊穿(最大值):1200V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):45A 功率 - 最大值:230W 電流 - 集電極截止(最大值):500μA 不同?Vce 時(shí)的輸入電容(Cies):1.5nF @ 25V 輸入:- NTC 熱敏電阻:是 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:模塊 供應(yīng)商器件封裝:模塊 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 |
BSM35GP120G | 功能描述:IGBT 模塊 1200V 35A PIM RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: |
BSM3650 | 制造商:Brady Corporation 功能描述:RUG, 36"X50,BARRIER SPILL MAT |
BSM400GA120DL | 制造商:SIEMENS 功能描述:400 |
BSM400GA120DLC | 功能描述:IGBT 模塊 1200V 400A SINGLE RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: |