參數(shù)資料
型號(hào): BSM35GP120
英文描述: IGBT Module
中文描述: IGBT模塊
文件頁數(shù): 6/8頁
文件大小: 94K
代理商: BSM35GP120
Technische Information / Technical Information
BSM35GD120DLC E3224
IGBT-Module
IGBT-Modules
E
I
C
[A]
E
R
G
[
]
0
2
4
6
8
10
12
0
10
20
30
40
50
60
70
Eoff
Eon
Erec
Schaltverluste (typisch) E
on
= f (I
C
) , E
off
= f (I
C
) , E
rec
= f (I
C
)
Switching losses (typical)
V
GE
=15V, R
gon
= R
goff
=22
, V
CE
= 600V, T
j
= 125°C
0
4
8
12
16
20
24
0
30
60
90
120
150
180
210
Eoff
Eon
Erec
Schaltverluste (typisch) E
on
= f (R
G
) , E
off
= f (R
G
) , E
rec
= f (R
G
)
Switching losses (typical)
V
GE
=15V , I
C
= 35A , V
CE
= 600V , T
j
= 125°C
6(8)
Seriendatenblatt_BSM35GD120DLC-E3224.xls
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BSM35GP120G IGBT Module
BSM400GA170DLC High Voltage Rectifer Diodes
BSM50GAL100D High Voltage Rectifer Diodes
BSM50GB60DLC High Voltage Rectifer Diodes
BSM50GD120DLC High Voltage Rectifer Diodes
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
BSM35GP120BOSA1 功能描述:IGBT MODULE 1200V 35A 制造商:infineon technologies 系列:- 零件狀態(tài):在售 IGBT 類型:NPT 配置:三相反相器 電壓 - 集射極擊穿(最大值):1200V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):45A 功率 - 最大值:230W 電流 - 集電極截止(最大值):500μA 不同?Vce 時(shí)的輸入電容(Cies):1.5nF @ 25V 輸入:- NTC 熱敏電阻:是 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:模塊 供應(yīng)商器件封裝:模塊 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10
BSM35GP120G 功能描述:IGBT 模塊 1200V 35A PIM RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
BSM3650 制造商:Brady Corporation 功能描述:RUG, 36"X50,BARRIER SPILL MAT
BSM400GA120DL 制造商:SIEMENS 功能描述:400
BSM400GA120DLC 功能描述:IGBT 模塊 1200V 400A SINGLE RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: