參數(shù)資料
型號(hào)： BSM400GA170DLC
英文描述： High Voltage Rectifer Diodes
中文描述： IGBT模塊
文件頁(yè)數(shù)： 1/8頁(yè)
文件大小： 99K
代理商： BSM400GA170DLC
Technische Information / Technical Information
BSM 400 GA 170 DLC
IGBT-Module
IGBT-Modules
Hchstzulssige Werte / Maximum rated values
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Kollektor-Emitter-Sperrspannung
collector-emitter voltage
V
CES
1700
V
Kollektor-Dauergleichstrom
DC-collector current
T
C
= 80 °C
I
C,nom.
400
A
T
C
= 25 °C
I
C
800
A
Periodischer Kollektor Spitzenstrom
repetitive peak collctor current
t
P
= 1 ms, T
C
=80°C
I
CRM
800
A
Gesamt-Verlustleistung
total power dissipation
T
C
=25°C, Transistor
P
tot
3120
W
Gate-Emitter-Spitzenspannung
gate-emitter peak voltage
V
GES
+/- 20V
V
Dauergleichstrom
DC forward current
I
F
400
A
Periodischer Spitzenstrom
repetitive peak forw. current
tp = 1 ms
I
FRM
800
A
Grenzlastintegral der Diode
I
2
t - value, Diode
V
R
= 0V, t
p
= 10ms, T
Vj
= 125°C
I
2
t
45.000
A
2
s
Isolations-Prüfspannung
insulation test voltage
RMS, f = 50 Hz, t = 1 min.
V
ISOL
3,4
kV
Charakteristische Werte / Characteristic values
Transistor / Transistor
min.
typ.
max.
Kollektor-Emitter Sttigungsspannung
collector-emitter saturation voltage
I
C
= 400A, V
GE
= 15V, T
vj
= 25°C
V
CE sat
-
2,6
3,2
V
I
C
= 400A, V
GE
= 15V, T
vj
= 125°C
-
3,1
3,6
V
Gate-Schwellenspannung
gate threshold voltage
I
C
= 18mA, V
CE
= V
GE
, T
vj
= 25°C
V
GE(th)
4,5
5,5
6,5
V
Gateladung
gate charge
V
GE
= -15V ... +15V
Q
G
-
5,0
-
μC
Eingangskapazitt
input capacitance
f = 1MHz,T
vj
= 25°C,V
CE
= 25V, V
GE
= 0V
C
ies
-
29
-
nF
Rückwirkungskapazitt
reverse transfer capacitance
f = 1MHz,T
vj
= 25°C,V
CE
= 25V, V
GE
= 0V
C
res
-
1,3
-
nF
Kollektor-Emitter Reststrom
collector-emitter cut-off current
V
CE
= 1700V, V
GE
= 0V, T
vj
= 25°C
I
CES
-
0,1
1
mA
V
CE
= 1700V, V
GE
= 0V, T
vj
= 125°C
-
12
mA
Gate-Emitter Reststrom
gate-emitter leakage current
V
CE
= 0V, V
GE
= 20V, T
vj
= 25°C
I
GES
-
-
200
nA
prepared by: Regine Mallwitz
date of publication: 28.11.2000
approved by: Christoph Lübke; 28.11.2000
revision: 2 (Series)
1(8)
BSM400GA170DLC
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BSM50GAL100D High Voltage Rectifer Diodes
BSM50GB60DLC High Voltage Rectifer Diodes
BSM50GD120DLC High Voltage Rectifer Diodes
BSM50GD170DLV High Voltage Rectifer Diodes
BSM50GD60DLC High Voltage Rectifer Diodes
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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BSM400GB60DN2 制造商:INFINEON 制造商全稱(chēng):Infineon Technologies AG 功能描述:IGBT Power Module (Half-bridge Including fast free-wheeling diodes Package with insulated metal base plate)
BSM50GAL100D 制造商:INFINEON 制造商全稱(chēng):Infineon Technologies AG 功能描述:IGBT MODULE
BSM50GAL120DN2 功能描述:IGBT 模塊 1200V 50A CHOPPER RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
BSM50GB100D 制造商:n/a 功能描述:IGBT Module
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