參數(shù)資料
型號(hào): BSM400GA170DLC
英文描述: High Voltage Rectifer Diodes
中文描述: IGBT模塊
文件頁數(shù): 7/8頁
文件大?。?/td> 99K
代理商: BSM400GA170DLC
Technische Information / Technical Information
BSM 400 GA 170 DLC
IGBT-Module
IGBT-Modules
t [sec]
2
12,91
0,0356
i
1
3
4
r
i
[K/kW]
: IGBT
τ
i
[sec]
: IGBT
4,46
0,0047
19,24
0,0613
3,39
0,4669
r
i
[K/kW]
: Diode
τ
i
[sec]
: Diode
13,96
27,66
27,66
5,73
0,0062
0,0473
0,0473
0,2322
I
C
V
CE
[V]
Z
t
[
Sicherer Arbeitsbereich (RBSOA)
Reverse bias safe operation area (RBSOA)
R
g
= 3,9 Ohm, T
vj
= 125°C
0
50
100
150
200
250
300
350
400
450
500
550
600
650
700
750
800
850
0
200
400
600
800
1000
1200
1400
1600
1800
IC,Modul
IC,Chip
Transienter Wrmewiderstand Z
thJC
= f (t)
Transient thermal impedance
0,001
0,01
0,1
1
0,001
0,01
0,1
1
10
100
Zth:Diode
Zth:IGBT
7(8)
BSM400GA170DLC
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BSM50GAL100D High Voltage Rectifer Diodes
BSM50GB60DLC High Voltage Rectifer Diodes
BSM50GD120DLC High Voltage Rectifer Diodes
BSM50GD170DLV High Voltage Rectifer Diodes
BSM50GD60DLC High Voltage Rectifer Diodes
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參數(shù)描述
BSM400GA170DLS 功能描述:IGBT 模塊 N-CH 1.7KV 800A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
BSM400GB60DN2 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:IGBT Power Module (Half-bridge Including fast free-wheeling diodes Package with insulated metal base plate)
BSM50GAL100D 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:IGBT MODULE
BSM50GAL120DN2 功能描述:IGBT 模塊 1200V 50A CHOPPER RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
BSM50GB100D 制造商:n/a 功能描述:IGBT Module