參數(shù)資料
型號(hào)： BSM400GA170DLC
英文描述： High Voltage Rectifer Diodes
中文描述： IGBT模塊
文件頁(yè)數(shù)： 6/8頁(yè)
文件大?。?/td> 99K
代理商： BSM400GA170DLC
Technische Information / Technical Information
BSM 400 GA 170 DLC
IGBT-Module
IGBT-Modules
E
I
C
[A]
E
R
G
[
]
0
100
200
300
400
500
600
700
0
100
200
300
400
500
600
700
800
Eoff
Eon
Erec
Schaltverluste (typisch) E
on
= f (I
C
) , E
off
= f (I
C
) , E
rec
= f (I
C
)
Switching losses (typical)
R
gon
= R
goff
=3,9
, V
CE
= 900V, T
j
= 125°C
0
50
100
150
200
250
300
350
400
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
Eoff
Eon
Erec
Schaltverluste (typisch) E
on
= f (R
G
) , E
off
= f (R
G
) , E
rec
= f (R
G
)
Switching losses (typical)
I
C
= 400A , V
CE
= 900V , T
j
= 125°C
6(8)
BSM400GA170DLC
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BSM50GAL100D High Voltage Rectifer Diodes
BSM50GB60DLC High Voltage Rectifer Diodes
BSM50GD120DLC High Voltage Rectifer Diodes
BSM50GD170DLV High Voltage Rectifer Diodes
BSM50GD60DLC High Voltage Rectifer Diodes
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參數(shù)描述
BSM400GA170DLS 功能描述:IGBT 模塊 N-CH 1.7KV 800A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
BSM400GB60DN2 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:IGBT Power Module (Half-bridge Including fast free-wheeling diodes Package with insulated metal base plate)
BSM50GAL100D 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:IGBT MODULE
BSM50GAL120DN2 功能描述:IGBT 模塊 1200V 50A CHOPPER RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
BSM50GB100D 制造商:n/a 功能描述:IGBT Module
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