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參數(shù)資料
| 型號： | BSH101 |
| 廠商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | N-channel enhancement mode MOS transistor |
| 中文描述： | 700 mA, 60 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
| 文件頁數(shù)： | 7/12頁 |
| 文件大小： | 643K |
| 代理商： | BSH101 |
2000 Jul 19
7
Philips Semiconductors
Product specification
N-channel enhancement mode
MOS transistor
BSH101
Fig.8 Transfer characteristic; typical values.
V
DS
= 10 V; T
amb
= 25
°
C; t
p
= 300
μ
s;
δ
= 0.
handbook, halfpage
0
2
1
0
1
5
MGM195
2
3
4
VGS (V)
ID
(A)
Fig.9
Capacitance as a function of drain-source
voltage; typical values.
V
GS
= 0; f = 1 MHz; T
amb
= 25
°
C.
handbook, halfpage
C
(pF)
0
80
120
40
0
10
50
MGM193
20
30
40
VDS (V)
Ciss
Coss
Crss
Fig.10 Source current as a function of source-drain
diode forward voltage; typical values.
V
GD
= 0.
(1) T
amb
= 150
°
C.
(2) T
amb
= 25
°
C.
(3) T
amb
=
65
°
C.
handbook, halfpage
(A)
0
0.4
1.2
0
0.4
1.6
1.2
0.8
MGM197
0.8
VSD (V)
(3)
(2)
(1)
Fig.11 Drain-source on-state resistance as a
function of gate-source voltage; typical
values.
T
amb
= 25
°
C; t
p
= 300
μ
s;
δ
= 0.
(1) I
D
= 175 mA.
(2) I
D
= 350 mA.
(3) I
D
= 700 mA.
(4) I
D
= 1 A.
(5) I
D
= 1.4 A.
(6) I
D
= 2.8 A.
handbook, halfpage
10
1
1
10
6
2
4
0
MGM198
8
(5)
(4)
(3)
(2)
(1)
(6)
RDSon
(
)
VGS (V)
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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參數(shù)描述 |
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