參數(shù)資料
型號(hào)： BSH101
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： N-channel enhancement mode MOS transistor
中文描述： 700 mA, 60 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
文件頁數(shù)： 4/12頁
文件大小： 643K
代理商： BSH101
2000 Jul 19
4
Philips Semiconductors
Product specification
N-channel enhancement mode
MOS transistor
BSH101
THERMAL CHARACTERISTICS
SYMBOL
PARAMETER
VALUE
UNIT
R
th j-s
thermal resistance from junction to soldering point
140
K/W
Fig.4 Transient thermal resistance from junction to soldering point as a function of pulse time; typical values.
(1)
δ
= 1.
(2)
δ
= 0.75.
(3)
δ
= 0.5.
(4)
δ
= 0.33.
(5)
δ
= 0.2.
(6)
δ
= 0.1.
(7)
δ
= 0.05.
(8)
δ
= 0.02.
(9)
δ
= 0.01.
(10)
δ = 0.
handbook, full pagewidth
3
10
2
10
1
10
6
10
5
10
4
10
3
10
2
10
1
1
MGM192
Rth j-s
(K/W)
tp (s)
(1)
(2)
(3)
(4)
(5)
(6)
(7)
(8)
(9)
(10)
tp
tp
T
T
P
t
δ
=
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BSH120T Automotive Rectifier Diodes
BSH204 Automotive Rectifier Diodes
BSK-1 Automotive Rectifier Diodes
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BSM100GAL100D TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | INDEPENDENT | 1KV V(BR)CES | 100A I(C)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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BSH102 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:N-channel enhancement mode MOS transistor
BSH102T/R 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 1A I(D) | TO-236AB
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BSH103 /T3 功能描述:MOSFET TAPE13 MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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