參數(shù)資料
型號(hào)： BSF030NE2LQ
廠商： INFINEON TECHNOLOGIES AG
元件分類： JFETs
英文描述： 24 A, 25 V, 0.0041 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： GREEN, METAL, WDSON-2
文件頁(yè)數(shù)： 9/13頁(yè)
文件大?。?/td> 1563K
代理商： BSF030NE2LQ
OptiMOS Power-MOSFET
BSF030NE2LQ
Electrical characteristics
Final Data Sheet
4
2.2, 2011-04-07
Table 6
Gate charge characteristics
1)
1) See figure 16 for gate charge parameter definition
Parameter
Symbol
Values
Unit
Note /
Test Condition
Min.
Typ.
Max.
Gate to source charge
Q
gs
-4.4
-
nC
V
DD=12 V,
I
D=30 A,
V
GS=0 to 4.5 V
Gate charge at threshold
Q
g(th)
-2.7
-
Gate to drain charge
Q
gd
-2.7
-
Switching charge
Q
sw
-4.3
-
Gate charge total
Q
g
-11.3
-
Gate plateau voltage
V
plateau
-2.6
-
V
Gate charge total
Q
g
-23
-
nC
V
DD=12 V,
I
D=30 A,
V
GS=0 to 10V
Gate charge total, sync. FET
Q
g(sync)
-9.8
-
V
DS=0.1 V,
V
GS=0 to 4.5 V
Output charge
Q
oss
-13
-
V
DD=12 V, VGS=0 V
Table 7
Reverse diode characteristics
Parameter
Symbol
Values
Unit
Note /
Test Condition
Min.
Typ.
Max.
Diode continuous forward current
I
s
--
28
A
T
C=25 °C
Diode pulse current
I
S,pulse
--
112
Diode forward voltage
V
SD
-0.86
1
V
GS=0 V, IF=30 A,
T
j=25 °C
Reverse recovery charge
Q
rr
-10
-
nC
V
R=15 V, IF=Is,
d
i
F/dt=400 A/s
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BSZ086P03NS3EG 13.5 A, 30 V, 0.0134 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
BT485AKHJ170 640 X 480 PIXELS PALETTE-DAC DSPL CTLR, PQCC84
BT485AKPJ135 640 X 480 PIXELS PALETTE-DAC DSPL CTLR, PQCC84
BT68561AKPJ 1 CHANNEL(S), 4M bps, MULTI PROTOCOL CONTROLLER, PQCC68
BT68560AKPJ 1 CHANNEL(S), 4M bps, MULTI PROTOCOL CONTROLLER, PQCC44
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
BSF030NE2LQXT 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:MOSFET N-CH 25V 24A WDSON-2
BSF030NE2LQXUMA1 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET N-CH 25V 24A 6-Pin WDSON 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:N-KANAL POWER MOS - Tape and Reel 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:N-KANAL POWER MOS - Cut TR (SOS) 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:MOSFET N-CH 25V 24A WDSON-2
BSF035NE2LQXUMA1 功能描述:MOSFET N-CH 25V 22A 2WDSON 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:25V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:22A（Ta），69A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:3.5 毫歐 @ 30A， 10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:25nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:1862pF @ 12V 功率 - 最大值:2.2W 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:3-WDSON 供應(yīng)商器件封裝:MG-WDSON-2，CanPAK M? 標(biāo)準(zhǔn)包裝:5,000
BSF045N03LQ3 G 功能描述:MOSFET OptiMOS 3 PWR-MOSFET N-CH RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
BSF045N03LQ3GXUMA1 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET N-CH 30V 18A 6-Pin WDSON T/R 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:N-KANAL POWER MOS - Tape and Reel
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