參數(shù)資料
型號(hào)： BSF030NE2LQ
廠商： INFINEON TECHNOLOGIES AG
元件分類： JFETs
英文描述： 24 A, 25 V, 0.0041 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： GREEN, METAL, WDSON-2
文件頁(yè)數(shù)： 8/13頁(yè)
文件大小： 1563K
代理商： BSF030NE2LQ
OptiMOS Power-MOSFET
BSF030NE2LQ
Electrical characteristics
Final Data Sheet
3
2.2, 2011-04-07
4
Electrical characteristics
Electrical characteristics, at
Tj=25 °C, unless otherwise specified.
Table 4
Static characteristics
Parameter
Symbol
Values
Unit
Note / Test Condition
Min.
Typ.
Max.
Drain-source breakdown voltage
V
(BR)DSS
25
-
V
GS=0 V, ID=1.0 mA
Gate threshold voltage
V
GS(th)
1-
2.2
V
DS=VGS, ID=250 A
Zero gate voltage drain current
I
DSS
-0.1
10
A
V
DS=25 V, VGS=0 V,
T
j=25 °C
-
10
100
V
DS=25 V, VGS=0 V,
T
j=125 °C
Gate-source leakage current
I
GSS
-
10
100
nA
V
GS=20 V, VDS=0 V
Drain-source on-state resistance
R
DS(on)
-3.3
4.1
m
Ω
V
GS=4.5 V, ID=30A
-2.5
3
V
GS=10 V, ID=30 A
Gate resistance
R
G
-0.6
-
Ω
Transconductance
g
fs
55
110
-
S
|V
DS|>2|ID|RDS(on)max,
I
D=30 A
Table 5
Dynamic characteristics
Parameter
Symbol
Values
Unit
Note /
Test Condition
Min.
Typ.
Max.
Input capacitance
C
iss
-1700
-
pF
V
GS=0 V, VDS=12 V,
f=1 MHz
Output capacitance
C
oss
-660
-
Reverse transfer capacitance
C
rss
-72
-
Turn-on delay time
t
d(on)
-2.8
-
ns
V
DD=12V, VGS=10 V,
I
D=30 A, RG=1.6 Ω
Rise time
t
r
-3.4
-
Turn-off delay time
t
d(off)
-18
-
Fall time
t
f
-2.6
-
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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BT68560AKPJ 1 CHANNEL(S), 4M bps, MULTI PROTOCOL CONTROLLER, PQCC44
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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