參數(shù)資料
型號: BSF030NE2LQ
廠商: INFINEON TECHNOLOGIES AG
元件分類: JFETs
英文描述: 24 A, 25 V, 0.0041 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝: GREEN, METAL, WDSON-2
文件頁數(shù): 11/13頁
文件大小: 1563K
代理商: BSF030NE2LQ
OptiMOS Power-MOSFET
BSF030NE2LQ
Electrical characteristics diagrams
Final Data Sheet
6
2.2, 2011-04-07
Table 10
5 Typ. output characteristics
T
C=25 °C
6 Typ. drain-source on-state resistance
I
D=f(VDS); Tj=25 °C; parameter: VGS
R
DS(on)=f(ID); Tj=25 °C; parameter: VGS
Table 11
7 Typ. transfer characteristics
8 Typ. forward transconductance
I
D=f(VGS); |VDS|>2|ID|RDS(on)max
g
fs=f(ID); Tj=25 °C
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BSZ086P03NS3EG 13.5 A, 30 V, 0.0134 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
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BT485AKPJ135 640 X 480 PIXELS PALETTE-DAC DSPL CTLR, PQCC84
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BT68560AKPJ 1 CHANNEL(S), 4M bps, MULTI PROTOCOL CONTROLLER, PQCC44
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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BSF035NE2LQXUMA1 功能描述:MOSFET N-CH 25V 22A 2WDSON 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):25V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):22A(Ta),69A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):3.5 毫歐 @ 30A, 10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):25nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):1862pF @ 12V 功率 - 最大值:2.2W 工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:3-WDSON 供應(yīng)商器件封裝:MG-WDSON-2,CanPAK M? 標(biāo)準(zhǔn)包裝:5,000
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BSF045N03LQ3GXUMA1 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET N-CH 30V 18A 6-Pin WDSON T/R 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:N-KANAL POWER MOS - Tape and Reel